【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种物理气相沉积设备的准直装置及物理气相沉积设备。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，其所含半导体器件的规模仍在不断扩大，电路密度持续增加，而其中的器件尺寸需要不断减小，使得互联件(如通孔、沟槽、触电和栅极等等)宽度缩小，深宽比也随之增加，对制造这些结构的挑战也越来越大。
2、物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)技术是一种广泛应用于晶圆金属薄膜沉积的技术，沉积效率高，薄膜致密性好。但由于其粒子的溅射方向完全随机，难以保证晶圆上各处产生均匀厚度的薄膜，容易在高深宽比特征的拐角处产生突出(overhang)，使得特征宽度进一步缩小，甚至提前发生堵塞产生孔隙等缺陷，影响该区域的导电性。
3、准直器是一种能够显著提高粒子准直性的装置，能够显著改善pvd薄膜沉积对高深宽比特征的填充能力。该装置通常为具有相等厚度的薄壁并包括一些可穿过薄壁的通孔，能够过滤掉靶材至晶圆间角度较大的粒子，只有接近于垂直的粒子才有可能到达晶圆表面，从而提高了沟槽的台阶覆盖率
4、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种物理气相沉积设备的准直装置，其特征在于，包括第一准直器和第二准直器，所述第一准直器和所述第二准直器均设置于所述物理气相沉积设备的工艺腔室中，且层叠设置于所述工艺腔室中的靶材与基座之间；
2.根据权利要求1所述的准直装置，其特征在于，所述第一准直器与所述工艺腔室中的屏蔽件固定连接，所述第二准直器与所述屏蔽件可沿所述工艺腔室的径向移动地连接。
3.根据权利要求2所述的准直装置，其特征在于，所述第一准直器包括第一环形侧壁和第一网格结构，所述第一网格结构位于所述第一环形侧壁所限定的空间中、且与所述第一环形侧壁连接；所述第一网格结构中的网格构成所
【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积设备的准直装置，其特征在于，包括第一准直器和第二准直器，所述第一准直器和所述第二准直器均设置于所述物理气相沉积设备的工艺腔室中，且层叠设置于所述工艺腔室中的靶材与基座之间；
2.根据权利要求1所述的准直装置，其特征在于，所述第一准直器与所述工艺腔室中的屏蔽件固定连接，所述第二准直器与所述屏蔽件可沿所述工艺腔室的径向移动地连接。
3.根据权利要求2所述的准直装置，其特征在于，所述第一准直器包括第一环形侧壁和第一网格结构，所述第一网格结构位于所述第一环形侧壁所限定的空间中、且与所述第一环形侧壁连接；所述第一网格结构中的网格构成所述第一镂空部；
4.根据权利要求3所述的准直装置，其特征在于，所述第二准直器包括第二环形侧壁和第二网格结构，所述第二网格结构位于所述第二环形侧壁所限定的空间中、且与所述第二环形侧壁连接；所述第二网格结构中的网格构成所述第二镂空部；
5.根据权利要求4所述的准直装置，其特征在于，所述第二环形侧壁的径向厚度小于所述第一环形侧壁的径向厚度，且在各所述第一镂空部和对应的各所述第二镂空部的重叠部分的横截面积最大时，所述第二环形侧壁在所述工艺腔室的径向截面上的正投影完全落入所述第一环形侧壁在所述工艺腔室的径向截面上的正投影中。
6.根据权利要求4所述的准直装置，其特征在于，所述第二准直器还包括第一固定部和第二固定部，所述第一固定部和第二固定部沿所述第二环形侧壁的任意一直径方向相对设置；
7.根据权利要求6所述的准直装置，其特征在于，所述驱动件包括传动轴和驱动源，其中，所述传动轴的一端与所述第一固定部的另一端连接，所述传动轴的另一端贯通所述工艺腔室的腔室壁，并延伸至所述工艺腔室之外，且与所述驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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