【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种承载装置及半导体加工设备。
技术介绍
1、在晶圆(即wafer)制备环节，尤其是沉积、光刻和刻蚀等关键环节，晶圆必须被稳定地固定和加热(或冷却)，以保证在晶圆上顺利开展相关工艺操作。因此，对晶圆固定和加热(或冷却)的设备各项性能要求极高。目前，真空吸附加热器(vacuum chuck heater)是一种常用的晶圆固定和加热(或冷却)设备。基座是通过在晶圆和基座之间抽真空的方法，利用晶圆上下两个表面的气压差来吸附固定晶圆的，此外，晶圆和基座之间的气体可以起到热传导作用，在基座的顶面通过设计不同的气路形状可以实现匀气的效果。
2、现有技术存在晶圆与基座之间的气体空间压强分布不均匀的问题，导致晶圆温度分布不均匀，从而导致工艺均匀性(例如镀膜厚度均匀性)较差。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及半导体加工设备，其可以解决现有技术中晶圆与基座本体之间的气体空间压强分布不均匀的问题，从而...
【技术保护点】
1.一种承载装置，用于通过真空吸附固定晶圆，其特征在于，包括基座本体，所述基座本体承载晶圆所在平面为基准面，所述基座本体具有环形凸部，所述环形凸部的顶面与所述基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；所述基座本体还具有低于所述基准面的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述环形凸部的内周边缘，所述第二表面位于所述基座本体的中心区域，所述基座本体还具有位于所述第一表面和所述第二表面之间且朝远离所述基准面的方向凹陷的第三表面；
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第三表面为环绕在所述第二表面周围的第一环形表面；或者，所述第三表面为多个，且环绕在所
【技术特征摘要】
1.一种承载装置，用于通过真空吸附固定晶圆，其特征在于，包括基座本体，所述基座本体承载晶圆所在平面为基准面，所述基座本体具有环形凸部，所述环形凸部的顶面与所述基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；所述基座本体还具有低于所述基准面的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述环形凸部的内周边缘，所述第二表面位于所述基座本体的中心区域，所述基座本体还具有位于所述第一表面和所述第二表面之间且朝远离所述基准面的方向凹陷的第三表面；
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第三表面为环绕在所述第二表面周围的第一环形表面；或者，所述第三表面为多个，且环绕在所述第二表面周围；
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第三表面为弧形面或者台阶面。
4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第一环形表面和所述第二环形表面均为圆环形表面；所述第二表面为圆形表面；
5.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第二环形表面上分布的所述气道结构包括沿所述第二环形表面的周向延伸的环形气道。
6.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第二环形表面的外周直径与所述第二表面的外周直径的比值大于等于2.35，且小于等于3.73；所述第二环形表面的内周直径与所述第二表面的外周直径的比值大于等于2.16，且小于等于3.48。
7.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第二环形表面的外周直径大于等于282mm，且小于等于298mm；所述第二环形表面的内周直径大于等于259mm，且小于等于279mm。
8.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第二表面的外周直径大于等于80mm，且小于等于120mm。
9.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，在所述第二表面形成有多个与所述气道结构连通的吸附气孔，多个所述吸附气孔的中心分布在以所述第二表面的中心为圆心的圆周上。
10.根据权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述第二表面的外周直径与所述吸附气孔的中心所在圆周的直径的比值大于等于1.2，且小于等于1.8。
11.根据权利要求1-10中任意一项所述的承载装置，其特征在于，所述第三表面与所述基准面之间的距离是所述第二表面与所述基准面之间的距离的4.5倍至15倍；和...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭红飞，史全宇，靳阳，项宏波，张楠，潘玉蕊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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