外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法技术

技术编号：43514404 阅读：18 留言：0更新日期：2024-12-03 12:05

本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面和侧壁上均形成第一分子层；利用第一等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第一分子层；输送第三气体至工艺腔室内，以使第三气体吸附于顶面、底面和侧壁，以在顶面、底面和侧壁上均形成第二分子层，且剩余的第一分子层和第二分子层反应，以在侧壁上生成目标膜层；利用第二等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第二分子层。

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【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体加工，具体涉及一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法和形成掩膜图案的方法。

技术介绍

1、在半导体加工工艺中，原子力沉积(ald，atomic layer deposition)工艺常用于特定厚度膜层结构的制备中，ald工艺不仅可以精确控制膜层的厚度，还可以使气体分子能够在基底不平整的表面实现较好的台阶覆盖率，即利用气体分子的自限性特性，以使气体分子能够自发地吸附在基底的表面上。

2、但由于气体分子能够吸附在基底的所有表面上，即薄膜会沉积在基底的除底面之外的所有表面上，这使得ald工艺方法无法实现区域选择性沉积薄膜的目的，这在一定程度上限制了此种半导体加工方法的应用。

3、综上，相关技术涉及的半导体加工方法存在基底表面无法实现区域选择性沉积薄膜的问题。

技术实现思路

1、本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法和形成掩膜图案的方法，以解决相关技术涉及的半导体加工方法存在基底表面无法实现区域选择性沉积薄膜的问题。

2、为...

【技术保护点】

1.一种选择性外延生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述清除所述顶面(130)和所述底面(110)上的所述第二分子层(220)之后，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述清除所述顶面(130)和所述底面(110)上的所述第二分子层(220)之后，所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第一等离子体(310)轰击所述顶面(130)和所述底面(110)，以清除所述顶面(130)和所述底面(110)上的所述第一分子层(210)具体包括：