本发明公开了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，其中，所述形成沟槽的方法通过提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括鳍形结构以及横跨鳍形结构的多个栅极结构，在第一刻蚀步中利用第一工艺气体将鳍形结构中的预定区域刻蚀至预定深度，以及在第二刻蚀步中利用...

本说明书实施方式提供了一种工艺参数的确定方法、装置及半导体工艺设备，该工艺参数的确定方法包括：响应于用户输入的目标工艺信息，将所述目标工艺信息输入至目标网络模型；所述目标工艺信息包括待确定工艺配方所能达到的工艺结果；通过所述目标网络模型...

本申请公开一种基座组件、工艺腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所述基座组件包括基座本体、环形的基座边缘部和升降轴；所述基座本体包括主体部、凸出于所述主体部的承载部以及相对所述承载部的上表面向下凹陷的避让槽，所述承载部用于承载...

本技术提供一种带电粒子束发生器及离子束刻蚀设备，该带电粒子束发生器包括：带电粒子束生成腔体，具有引出口；引出口控制装置，用于调节引出口的引出面积。本方案根据带电粒子束生成腔体内部的等离子体密度幅值的大小，控制引出口控制装置调节引出口的引...

本申请公开了气孔填充件、下电极组件及工艺腔室，气孔填充件用于填充于静电盘的通孔中；其中，静电吸盘包括相对设置的承载面和进气面，通孔由进气面贯通至承载面；气孔填充件包括：第一填充棒，固定于通孔中靠近进气面的一端，第一填充棒设有沿轴向延伸的...

本技术提供一种炉体结构和半导体工艺设备，该炉体结构包括至少一个炉体单元，每个炉体单元均包括保温支撑主体和绝缘支撑结构，其中，保温支撑主体呈环状，且将绝缘支撑结构限位固定于保温支撑主体的内周侧；绝缘支撑结构用于将加热丝限位固定于保温支撑主...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法，属于半导体工艺技术。该脉冲调节等离子体方法包括以下步骤：设置第一脉冲，以通过第一脉冲控制高频射频电源和低频射频电源进行同步开断；设置第二脉冲，以通过第二脉冲在低频射频电源的每个射频...

本申请公开一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，涉及半导体领域。自对准多重图形的形成方法包括：提供具有目标层的半导体衬底，在目标层上形成芯轴层和牺牲层；对芯轴层和牺牲层进行刻蚀，以形成芯轴掩膜图案；在目标层和芯轴掩膜图案上进行沉积，...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的装载腔室，其包括：腔体、门体和密封环；所述腔体设有开口，处于关门位置的所述门体与所述开口相对，所述密封环位于所述门体与所述开口的外周之间的间隙区域，所述密封环包括沿其自身的高度方向相互远离的顶端和底...

本申请公开了一种温度控制方法、电子设备及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。所述方法包括：获取当前温度设定值；根据所述当前温度设定值对各个所述温度控制区进行控温，对达到所述当前温度设定值的所述温度控制区进行保温，直至全部所述温度控制区的...

本申请公开一种形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置，其中晶片承载装置包括至少一个用于承载晶片的晶片槽，各个所述晶片槽的底面为相对于水平面的倾斜面，将具有沟槽图案的晶片放置在上述晶片承载装置后传入工艺腔室，使晶片在工艺腔室处于...

本申请公开了一种晶圆位置检测装置及半导体设备，晶圆位置检测装置的第一环形滑轨和第二环形滑轨相对的设置于半导体腔室的上下两侧；线性传感器发射端与第一环形滑轨滑动连接，线性传感器接收端与第二环形滑轨滑动连接；且线性传感器发射端在晶圆的正投影...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法在目标调度动作的确定过程中，基于当前状态和动作模块对应的动作优先级列表，以动作模块为单位进行遍历，以目标调度动作为粒度进行输出，无需遍历所有可能的调度序列并进行比较后输出最优的调度序列，大大减少了...

本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，其中，该方法包括：第一刻蚀步，在待刻蚀膜层中形成多个初始沟槽，初始沟槽的截面为倒梯形；第一修饰步，将各个初始沟槽修饰为中间沟槽，中间沟槽为侧壁竖直且底部呈弧形的沟槽结构；第二刻蚀步，对各个...

本发明公开一种冷却装置和半导体工艺设备，所公开的冷却装置包括冷却本体，所述冷却本体包括第一桶体和第二桶体，所述第二桶体套设于所述第一桶体外侧，所述第二桶体与所述第一桶体围成容置腔，所述第二桶体开设有与所述容置腔连通的进液口和出液口；所述...

本发明提供一种传输腔室、晶圆传输装置、工艺腔室及半导体工艺设备，其中，传输腔室该设备包括：传输腔体，用于容纳至少一个晶圆传输装置，晶圆传输装置具有第一磁性体；磁阵列驱动装置，包括设置于传输腔体外侧底部的多个第二磁性体，各个第二磁性体的磁...

本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该设备包括工艺腔室、第一接头、第二接头和连接装置，第一接头与工艺腔室相连，连接装置包括第一夹持件、第二夹持件和连接组件，第一夹持件套设于第一接头，第二夹持件套设于第二接头，第一夹持件和第...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其中转平台和晶圆交互传输方法，属于半导体工艺技术。该中转平台设置在对接的两个晶圆传输装置之间，包括多个晶圆承载支架以及与多个晶圆承载支架一一对应的多个晶圆偏差补正机构；其中，晶圆偏差补正机构，用于在一个晶...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和工艺装置，腔体内形成有反应腔和传输腔，反应腔的底部形成有开口；传输腔位于反应腔的下方，且传输腔通过开口与反应腔连通；工艺装置包括升降机构、基座和刚性密封件；基座的顶面用于承载晶圆；刚性密封件设于基...

本发明提供一种晶圆传输装置及半导体设备，包括承载部件、传输部件、磁发生组件和磁配合组件；承载部件用于承载晶圆，传输部件用于承载并传输承载部件；磁发生组件和磁配合组件中一者设置于传输部件，另一者设置于承载部件；磁发生组件用于产生与磁配合组...