本申请公开一种半导体工艺设备，其包括腔体、匀气件、旋转电机、传动组件和升降组件，所述升降组件的数量为多个，且多个所述升降组件沿所述腔体的周向间隔分布，各所述升降组件均与所述匀气件连接，且各所述升降组件均通过所述传动组件与所述旋转电机传动...

本申请公开了一种工艺任务的执行方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在工艺任务启动后，获取目标服务执行完成后的目标腔室空闲时间，目标服务为工艺任务启动前最后执行的服务；根据目标服务和目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量；若推...

本技术提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、磁控组件、检测组件和多个调节部件，腔室本体的顶部具有用于安装溅射靶的安装位，磁控组件设置在溅射靶的上方，磁控组件包括多个磁性部件，多个磁性部件沿溅射靶的径向间隔设置，检测组件设置在腔室本体内，...

本申请公开一种半导体清洗设备及其补液装置，属于半导体技术领域。补液装置包括储液装置、补液管路、循环管路、泵体和控制部件，其中，储液装置的出口端与泵体的进口端连通，泵体的出口端分别与补液管路的第一端和循环管路的第一端连通，循环管路的第二端...

本发明公开了一种图形化基底的制备方法图、形化基底及半导体器件，该方法包括：在基底表面形成第一微结构；在所述第一微结构的表面形成第二微结构，所述第二微结构的光折射率大于所述第一微结构的光折射率；其中第一微结构和第二微结构中的至少一者包括分...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、磁场调节机构和导向件，腔室本体内设有基座，磁场调节机构包括承载件和多个磁性件，承载件可转动地设置于腔室本体之外，多个磁性件环绕腔室本体设置，且...

本发明提供一种静电卡盘的测温装置，静电卡盘包括第一电极和第二电极，测温装置包括多个吸附部件和多个测温部件，多个吸附部件用于间隔放置在静电卡盘的用于吸附晶圆的表面上，且至少一个吸附部件与第一电极对应放置，至少另一个吸附部件与第二电极对应放...

本技术提供一种工艺腔室及半导体工艺设备。工艺腔室包括腔体、工艺基座和磁组件，工艺基座具有用于承载晶圆的承载面，磁组件环绕设置于腔体外；磁组件包括磁体结构和连接于磁体结构的调节组件，调节组件用于驱动磁体结构沿第一预设方向、第二预设方向和第...

本申请公开了一种晶圆载台、伪片腔室及半导体工艺设备，晶圆载台包括至少两个环绕预设圆设置的承载机构，用于从晶圆的边缘对晶圆形成支撑；以预设圆的圆心为参考，每个承载机构包括：第一固定座，靠近圆心的一端设置有第一支撑部；第二固定座，靠近圆心的...

本发明实施例提供了一种工艺运行方法和半导体工艺设备，该方法应用于上位机，该方法包括：获取下位机的设备标识和工艺组件需求信息；根据设备标识，查询预先为下位机分配的第一IP地址；向下位机发送第一IP地址和上位机的第二IP地址，以使下位机根据...

本申请公开了一种半导体工艺设备的装卸载腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体工艺设备的装卸载腔室包括：安装主板、密封罩和开锁机构；所述密封罩在第一方向上可移动地设于所述安装主板的一侧，所述密封罩内设有密封壳体，所述密封壳体在第...

本申请公开一种工艺腔室和半导体加工设备，工艺腔室包括腔室本体、耦合筒、腔室顶部、控温组件和密封圈，耦合筒与腔室本体的侧壁固定连接，腔室顶部与耦合筒固定连接，且腔室本体、耦合筒和腔室顶部围成工艺腔；控温组件包括控温本体和限位环，控温本体的...

本技术提供一种用于腔室管路的限位组件及反应腔室。用于腔室管路的限位组件，包括：转接头，用于连通气源与进气管路；限位件，具有与转接头相匹配的限位空间，转接头位于限位空间内并与限位件限位配合，限位件用于在第一方向上支撑转接头并限制转接头在与...

本技术提供一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室、多个晶舟以及两组相对设置的进气装置和排气装置：其中，工艺腔室具有环状腔体，以及分别设置在环状腔体内周和外周的内周壁和外周壁；多个晶舟均具有沿轴线分布的多个承载部，承载部用于承载晶片；多个晶舟...

本申请公开了一种半导体工艺腔室，涉及半导体领域。一种半导体工艺腔室，包括腔体和设于所述腔体内的基座，所述基座连接有升降轴，所述升降轴自所述腔体的底壁穿出所述腔体；所述工艺腔室还包括隔挡组件，所述隔挡组件包括承载件、第一挡件和第二挡件；所...

本技术提供一种下电极装置及半导体加工设备，下电极装置包括卡盘、以及围绕卡盘的中心分布的多个气路和多个射频引入组件，卡盘用于承载多个晶片，多个气路用于与多个晶片一一对应，气路设于卡盘上并贯穿卡盘的厚度，气路的出气口位于卡盘上承载对应的晶片...

本申请提供一种转移设备及其承载托架，用于承载和移动装载机构，承载托架，用于承载装载机构，包括挡板和位于挡板之间的至少两个支撑部，各个支撑部沿第一方向排列，第一方向垂直支撑部的延伸方向，相邻两个支撑部形成用于支撑装载机构的承载位；挡板具有...

本发明公开了一种侧墙刻蚀方法、场效应晶体管和半导体工艺设备，包括：提供待刻蚀器件，待刻蚀器件包括衬底、设置在衬底上的栅极以及覆盖栅极和衬底的待刻蚀膜层，待刻蚀膜层包括沿远离衬底的方向依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层...

本发明公开了一种水蒸气发生装置、液位控制方法及半导体工艺腔室，装置包括：水箱，水箱的底部与补水管路连接，水箱的顶部通过蒸汽输送管路与工艺腔室连通，补水管路上设有补水阀，蒸汽输送管路上设有气体流量控制件；水箱设有加热件、温度检测件、压力检...

本发明提供了遮蔽盘组件检测方法和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决遮蔽盘是否被放入遮蔽盘库中难以检测的问题。遮蔽盘组件检测方法获取遮蔽盘组件的图像；基于图像，获取支撑臂上支撑点的位置；和/或，基于图像，获取遮蔽盘本体中心点的...