【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体装备领域，更具体地，涉及一种水蒸气发生装置、液位控制方法及半导体工艺腔室。
技术介绍
1、在半导体设备应用环境中，金属刻蚀工艺之后，真空传输平台会将刻蚀后的晶圆传送至去胶工艺腔室进行去胶和钝化工艺。去胶工艺腔室通常使用三种气体，包含氧气、氮气、和水蒸气。去胶工艺由三个步骤组成，晶圆加热、钝化、去胶。在钝化步骤中，会向腔室通入一定量的水蒸气，在微波环境下，水蒸气发生电离，生成氢离子与氧离子，氧离子与晶圆表面的铝发生反应形成致密氧化铝层，保护铝表面，氢离子与晶圆表面金属刻蚀工艺生成的残留氯化物反应生成氯化氢气体，经由干泵抽离腔室，实现去氯。在钝化工艺过程中，水蒸气供应的稳定性与持续性直接影响去胶工艺腔室的工艺良率。去胶工艺腔室使用的水蒸气通常由水蒸气发生装置通过加热液态去离子水使之汽化提供，在去胶工艺腔室工艺过程中，伴随着水蒸气的消耗，水蒸气发生器需要持续补充去离子水，补水的控制方法是去胶工艺腔室水蒸气供应控制的关键技术之一。
2、现有去胶工艺腔室的水蒸气发生装置在补充过程中，存在水蒸汽供应不稳定的问题。p>
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【技术保护点】
1.一种水蒸气发生装置，应用于半导体工艺腔室，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述补水阀包括高频电磁阀。
3.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述控制器包括控制芯片以及分别于所述控制芯片连接的液位采集模块、压力采集模块、温度采集模块和数字信号输出模块；
4.根据权利要求3所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述补水管路上还设有常开式进水气动阀，所述进水气动阀设置于所述补水阀的上游管路，所述进水气动阀与所述数字信号输出模块连接。
5.根据权利要求1所述的水蒸气发...
【技术特征摘要】
1.一种水蒸气发生装置，应用于半导体工艺腔室，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述补水阀包括高频电磁阀。
3.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述控制器包括控制芯片以及分别于所述控制芯片连接的液位采集模块、压力采集模块、温度采集模块和数字信号输出模块；
4.根据权利要求3所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述补水管路上还设有常开式进水气动阀，所述进水气动阀设置于所述补水阀的上游管路，所述进水气动阀与所述数字信号输出模块连接。
5.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述气体流量控制件包括质量流量控制器；
6.根据权利要求1所述的水蒸气发生装置，其特征在于，所述箱体的底部设有排水管路，所述排水管路上设有排水阀。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王喜健，梅润川，王松涛，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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