【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的刻蚀方法和半导体工艺设备。
技术介绍
1、随着鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，简称fin-fet)的更新迭代，鳍式场效应晶体管的鳍部(fin)的重复周期和关键尺寸不断缩小，导致鳍部图形密集区的浅沟槽隔离结构的沟槽宽度不断缩小、沟槽深宽比不断增大，导致鳍部图形密集区与鳍部图形稀疏区的沟槽深宽比的差距不断增大。因为通常情况下鳍部图形密集区的刻蚀速率小于鳍部图形稀疏区的刻蚀速率，所以，鳍部图形密集区与鳍部图形稀疏区的沟槽深宽比的差距不断增大，又会导致鳍部图形密集区与鳍部图形稀疏区的沟槽深宽的差距不断增大，导致fin-fet具有i-d(isolation-dense)深度微负载问题，导致fin-fet的结构均匀性和性能较差。
2、并且，为了进一步提高fin-fet的性能，通常会在fin-fet的基底中形成以硅(si)材料为沟道材料的n型沟道区和以硅锗(sige)材料为沟道材料的p型沟道区，以形成n型fin-fet和p型fin-fet。但是，因为硅...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体结构包括基底和位于所述基底一侧的掩膜层，所述基底包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区包括P型沟道区，所述第二沟道区包括N型沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区的基底的材料不同，所述掩膜层包括图形密集区和图形稀疏区，所述图形密集区的图形密度大于所述图形稀疏区的图形密度，所述刻蚀方法包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述执行第二刻蚀步骤之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述执行第三刻蚀步骤包括：
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体结构包括基底和位于所述基底一侧的掩膜层，所述基底包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区包括p型沟道区，所述第二沟道区包括n型沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区的基底的材料不同，所述掩膜层包括图形密集区和图形稀疏区，所述图形密集区的图形密度大于所述图形稀疏区的图形密度，所述刻蚀方法包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述执行第二刻蚀步骤之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述执行第三刻蚀步骤包括：
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一沟道区的基底的材料包括硅锗材料，所述第二沟道区的基底的材料包括硅材料。
5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括含氟气体、含氯气体、含溴气体、碳氟类气体中的至少一种；所述第一钝化气体包括氢氟碳类气体；和/或，
6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体中的含氟气体至少包括sf6或nf3、...
【专利技术属性】
技术研发人员：马俊胜，杨光，骆壮，李栋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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