温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法和半导体工艺设备，包括：利用第一刻蚀气体和第一钝化气体对第一沟道区和第二沟道区的基底进行刻蚀以形成沟槽，第一钝化气体用于与第一沟道区的基底反应生成第一副产物，第一副产物用于附着在第一沟道区的基底表面，以抑...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。