【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体装备领域，更具体地，涉及一种上电极装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在ic(集成电路)的制造工艺中，边缘刻蚀机是必不可少的设备，因为晶圆在沉积和刻蚀的过程中，其边缘处会产生不同组分、厚度的聚合物，这些聚合物如果不能及时去除那么会在后续工艺过程中容易使集成电路产生缺陷，尤其是晶圆边缘部分，这就是降低设备产品良率的主要原因之一；随着高端制程不断地开发，其借助于边缘刻蚀机来提高产品良率已显得尤为重要。其中机台的上电极结构特别关键，因为只需要将晶圆边缘进行刻蚀，需要晶圆与上方出气盘的圆心位置能够实现可控制，这样通过圆心位置的调节达到选择不同刻蚀区域的目的，最终实现边缘刻蚀的均匀性，防止晶圆出现过度刻蚀的情况出现，这样就需要出气盘和晶圆的同轴度特别好，能够实现可以调节的功能。
2、但目前的对于晶圆与出气盘之间同轴度的调整方式存在可控度差、操作复杂的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提出一种上电极装置及半导体工艺设备，实现提高上电极进气结构与晶圆之间同轴度...
【技术保护点】
1.一种上电极装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，其中，所述工艺腔室包括腔室本体和盖设于所述腔室本体上的腔室盖板，其特征在于，所述上电极装置包括：
2.根据权利要求1所述的上电极装置，其特征在于，还包括移动支架，所述移动支架设置于所述腔室盖板的上方，所述进气结构设置于所述移动支架上；
3.根据权利要求2所述的上电极装置，其特征在于，所述第一位移导向组件和所述第二位移导向组件为结构相同的导向组件；
4.根据权利要求3所述的上电极装置，其特征在于，所述固定件包括滑动轴承座，所述连接件包括滑动轴和导向座；
5.根据权利要求4...
【技术特征摘要】
1.一种上电极装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，其中，所述工艺腔室包括腔室本体和盖设于所述腔室本体上的腔室盖板，其特征在于，所述上电极装置包括：
2.根据权利要求1所述的上电极装置，其特征在于，还包括移动支架，所述移动支架设置于所述腔室盖板的上方，所述进气结构设置于所述移动支架上；
3.根据权利要求2所述的上电极装置，其特征在于，所述第一位移导向组件和所述第二位移导向组件为结构相同的导向组件；
4.根据权利要求3所述的上电极装置，其特征在于，所述固定件包括滑动轴承座，所述连接件包括滑动轴和导向座；
5.根据权利要求4所述的上电极装置，其特征在于，所述导向组件还包括调节顶丝，所述滑动轴承座的顶端设有第一螺纹孔，所述调节顶丝能够与所述第一螺纹孔配合，以锁紧所述滑动轴。
6.根据权利要求5所述的上电极装置，其特征在于，所述导向座的所述一端设有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部分别设置于所述滑动轴承座的两侧，所述第一连接部与所述滑动轴的一端连接，所述第二连接部与所述滑动轴的另一端连接；
7.根据权利要求4所述的上电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭春，徐珂浩，郭子煜，马恩泽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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