一种加热装置及半导体处理设备制造方法及图纸

本申请公开了一种加热装置及半导体处理设备，加热装置位于基座的一侧，具有中心区域和多个环形区域；每一环形区域包括沿环形区域周向均匀设置的多个加热灯和位于多个加热灯远离基座一侧的环形反射板；每一环形区域，加热装置还包括位于环形区域靠近中心区域一侧的反射组件；反射组件包括与对应的环形区域内的多个加热灯一一对应的多个反射板；反射板由环形反射板向基座的方向延伸，以限定对应的加热灯的光照射在基座的预设区域内；反射组件用于使多个加热灯对应的预设区域位于基座的不同径向范围内。本申请可以避免光线集中照射在同一区域而使光照沿半径方向呈断崖式分布，从而实现光照强度的渐变，可以提高加热的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种加热装置及半导体处理设备。

技术介绍

1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)硅外延是利用cvd技术在硅基衬底(比如晶圆/wafer)表面生长硅薄膜。具体是控制反应气体流过被加热的wafer，反应物在wafer表面发生化学反应生成硅单质，进而在wafer表面形成一层硅单质薄膜。

2、现有的一种cvd外延设备的结构示意图如图1所示，工艺腔室10a的顶板和底板为透明材料制作，工艺腔室10a的上下两侧分别布置基于红外光加热的上加热装置20a和下加热装置30a。衬底101a放置于工艺腔室10a内的基座11a上，上加热装置20a对衬底101a的表面进行直接加热，下加热装置30a对基座11a进行加热以间接对衬底101a进行加热。

3、衬底101a表面的温度分布对硅外延的厚度、电阻率、滑移线分布具有显著的影响，温度高的区域外延层生长速率高，其厚度则相对较厚。在对衬底101a加热的过程中，由于下加热装置30a直接加热基座11a，经由基座11a导热间接加热衬底101a，热量在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种加热装置，用于对半导体腔室内的基座进行加热，其特征在于，所述加热装置位于所述基座的一侧，所述加热装置具有中心区域和由所述中心区域向外依次环绕所述中心区域的多个环形区域；

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述反射组件中各所述反射板均与所述基座的中心轴线平行；或者，

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，属于同一所述环形区域内的所述多个加热灯的高度相同；

4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，同一所述反射组件中，任意相邻的两个所述反射板的所述第一高度不同。

5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，还包...

【技术特征摘要】

1.一种加热装置，用于对半导体腔室内的基座进行加热，其特征在于，所述加热装置位于所述基座的一侧，所述加热装置具有中心区域和由所述中心区域向外依次环绕所述中心区域的多个环形区域；

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述反射组件中各所述反射板均与所述基座的中心轴线平行；或者，

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，属于同一所述环形区域内的所述多个加热灯的高度相同；

4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，同一所述反射组件中，任意相邻的两个所述反射板的所述第一高度不同。

5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，还包括驱动器，用于对每个所述反射板进行升降调节。

6.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，属于同一所述环形区域内的所述多个加热灯的高度相同；

7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，每一所述反射组件中，相邻的两个所述通光孔距离所述基座的距离不相同。

8.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：高雄，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：