【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设备,具体涉及一种调节机构、半导体工艺设备。
技术介绍
1、气体喷淋头为cvd设备(cvd,全称为chemical vapor deposition,即化学气相沉积设备)、ald设备(ald,全称为atomic layer deposition,即原子层沉积设备)的核心部件,用于向反应腔室中输入工艺气体以在硅片上形成薄膜,并且在薄膜生成过程中需要与硅片之间保持恒定的气流场,精确控制气流场就需要对气体喷淋头与硅片之间的距离和水平度进行精确调节。
2、目前,用于调节气体喷淋头与硅片之间距离和水平度的调节机构,在气体喷淋头的位置和水平度调节完成后(硅片在反应腔室中保持水平不动),气体喷淋头的定位是通过弹簧压紧的方式实现的,由于弹簧容易发生弹性形变,所以在反应腔室的真空度发生变化时气体喷淋头也容易克服弹簧的压紧力而导致与硅片的距离和水平度发生波动,影响成膜质量;另外,调节机构的连接气体喷淋头的调节部件上,弹簧的压紧位置与气体喷淋头的支撑、调节位置不同,会导致调节部件因受力不均衡而发生变形,影响气体喷淋头与硅片之间距离
...【技术保护点】
1.一种调节机构,其特征在于,用于在反应腔室安装气体喷淋头并对所述气体喷淋头进行位置调节,包括:
2.根据权利要求1所述的调节机构,其特征在于,还包括可拆卸的设置在所述移动法兰上,并与所述气体喷淋头导热连接的冷却法兰,所述冷却法兰上开设有导流冷却介质的冷却通道。
3.根据权利要求2所述的调节机构,其特征在于,所述冷却法兰包括导热系数不同的多个,每个所述冷却法兰均能与所述移动法兰组装且与所述安装法兰、所述锁固件和所述调节件配合。
4.根据权利要求2所述的调节机构,其特征在于,所述冷却法兰包括沿轴向层叠设置且固定连接的至少两个环状部。<
...【技术特征摘要】
1.一种调节机构,其特征在于,用于在反应腔室安装气体喷淋头并对所述气体喷淋头进行位置调节,包括:
2.根据权利要求1所述的调节机构,其特征在于,还包括可拆卸的设置在所述移动法兰上,并与所述气体喷淋头导热连接的冷却法兰,所述冷却法兰上开设有导流冷却介质的冷却通道。
3.根据权利要求2所述的调节机构,其特征在于,所述冷却法兰包括导热系数不同的多个,每个所述冷却法兰均能与所述移动法兰组装且与所述安装法兰、所述锁固件和所述调节件配合。
4.根据权利要求2所述的调节机构,其特征在于,所述冷却法兰包括沿轴向层叠设置且固定连接的至少两个环状部。
5.根据权利要求1所述的调节机构,其特征在于,所述移动法兰上开设有第一螺纹孔,所述调节件为与所述第一螺纹孔螺纹连接的螺纹件,且所述调节件穿过所述第一螺纹孔的一端与所述安装法兰抵接。
6.根据权利要求1或5所述的调节机构,其特征在于,所述调节件为中空结构并套设在所述锁固件的外侧,并且,
7.根据权利要求2所述的调节机构,其特征在于,所述冷却法兰与所述移动法兰抵接的端面上设置有凸起部,所述凸起部伸入到所述移动法兰的法兰孔中并与所述气体喷...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘东,贺政康,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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