升降针装置、半导体工艺设备及压力控制方法制造方法及图纸

本申请公开了一种升降针装置、半导体工艺设备及压力控制方法，涉及半导体领域。一种升降针装置，包括：用于升降晶圆的顶针组件，以及输气组件；所述顶针组件具有气道，所述气道的第一端用于与晶圆接触，所述气道的第二端与所述输气组件的输气端连接，所述输气组件用于向所述气道充气和/或自所述气道抽气。本申请至少能够解决晶圆随意移动或者与三针之间出现黏连等问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，具体涉及一种升降针装置、半导体工艺设备及压力控制方法。

技术介绍

1、在ic(集成电路)制造工艺中，去胶腔一般用于去除晶圆在金属刻蚀后表面参与的光刻胶以及含氯的反应副产物。在去胶机反应腔结构中，机械卡盘(mechanical chuck)是用来承接晶圆(wafer)的重要装置，它具有成本低，加工难度小等特点。三针机构是置于机械卡盘接口盘中用于辅助晶圆传输的机械装置，均匀分布在机械卡盘三个位置，目前大部分三针都是采用气缸或电缸驱动。当机械手将晶圆传入去胶腔(pm)后，三针升起，机械手将晶圆放在三针顶端，然后腔室抽真空，等到腔室压力达到本底压力后，三针降下，将其放到机械卡盘表面，聚焦环(focus ring)内部，完成降针流程。

2、由于晶圆被支撑在三针的顶端处，在升降晶圆的过程中，晶圆容易在三针顶端处滑动从而影响晶圆位置精度；另外，在一些情况下，晶圆与三针顶端面之间还容易出现黏连现象，使得在取走晶圆过程中容易出现晶圆碎裂现象。

3、上述过程中，一般去胶工艺时间仅30s左右，而降针过程就耗时约3s，严重影响了去胶机的每本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种升降针装置，其特征在于，包括：用于升降晶圆的顶针组件(200)，以及输气组件(300)；

2.根据权利要求1所述的升降针装置，其特征在于，所述输气组件(300)包括第一充气路径(310)和第一抽气路径(320)；

3.根据权利要求2所述的升降针装置，其特征在于，所述第一充气路径(310)包括第一充气管路(311)和充气切换阀(312)，所述第一充气管路(311)的一端连接至所述充气接口(420)，所述第一充气管路(311)的另一端用于输入气体，所述充气切换阀(312)设于所述第一充气管路(311)；

4.根据权利要求3所述的升降针装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种升降针装置，其特征在于，包括：用于升降晶圆的顶针组件(200)，以及输气组件(300)；

2.根据权利要求1所述的升降针装置，其特征在于，所述输气组件(300)包括第一充气路径(310)和第一抽气路径(320)；

3.根据权利要求2所述的升降针装置，其特征在于，所述第一充气路径(310)包括第一充气管路(311)和充气切换阀(312)，所述第一充气管路(311)的一端连接至所述充气接口(420)，所述第一充气管路(311)的另一端用于输入气体，所述充气切换阀(312)设于所述第一充气管路(311)；

4.根据权利要求3所述的升降针装置，其特征在于，所述第一充气管路(311)还设有节流阀(313)，所述节流阀(313)位于所述充气切换阀(312)沿充气方向的下游位置；

5.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室(100)、控制系统(500)，以及权利要求1至4中任意一项所述的升降针装置；

6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述输气组件(300)还包括第二充气路径(330)，所述第二充气路径(330)的一端与所述反应腔体(110)连通，所述第二充气路径(330)的另一端用于输入气体；

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二充气路径(330)包括第二充气管路(331)、慢充阀(332)和快充阀(333)；

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制系统(500)还包括电磁阀组(540...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘贺，张新翌，吕超，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：