本申请提供了一种上电极装置及磁控溅射设备，上电极装置包括磁控部件、冷却腔、套筒组件、空心轴以及驱动机构，冷却腔的底部固定设置有靶材组件，磁控部件设置在冷却腔中；空心轴部分穿入冷却腔中，空心轴内部设有介质通道，介质通道用于向冷却腔内输送冷...

本申请公开了一种法拉第筒组件及工艺腔室，法拉第筒组件包括：第一筒件，设置于所述工艺腔室内的上部；第二筒件，设置于所述工艺腔室内的下部，并与所述第一筒件间隔设置，以至少暴露所述线圈的一部分。本申请的法拉第筒组件通过采用第一筒件和第二筒件分...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法以目标物料集合中的多个待调度晶圆为对象，进行晶圆优先级顺序的确定，并基于待调度晶圆的优先级顺序，将下一个待调度晶圆加入调度并出片，以保障出片连续，降低了半导体工艺设备中出现空闲设备模块的概率，提升...

本技术提供一种升降装置及半导体工艺设备，升降装置包括传动件、伸缩缸及传动轴，伸缩缸的伸缩杆沿竖直方向延伸，伸缩杆的传动端通过浮动接头与传动件连接；伸缩杆沿竖直方向平移时能够带动传动件上升或下降，且伸缩杆的传动端可相对于传动件沿预设水平方...

本技术提供一种工艺门驱动机构及热处理设备，工艺门驱动机构包括支撑臂、旋转臂、连接件及刚性止转部，连接件与支撑臂的一端通过第一转动副连接，旋转臂的一端与工艺门固定连接、另一端通过第二转动副与连接件连接；第一转动副和第二转动副中的一者为水平...

本申请提供一种半导体工艺设备及其承载装置，承载装置包括本体和分布于本体中的气体通道，气体通道包括散热气道和输送通道，散热气道设置于本体的承载面上，输送通道向散热气道输送散热气体；散热气道包括多个长度相同的子气道，子气道的端部相连形成多个...

本技术公开一种托架及半导体工艺设备，所公开的托架包括托架本体(10)和本体支撑结构(20)，所述托架本体(10)用于支撑承载舟(30)，所述本体支撑结构(20)与所述托架本体(10)相连，所述本体支撑结构(20)用于支撑所述托架本体(1...

本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极组件，下电极组件包括热包括热边缘环和聚焦环，其中，聚焦环具有沿内圈设置的支撑槽，支撑槽的槽底用于支撑晶圆，热边缘环位于聚焦环的下方，热边缘环的环宽与支撑槽的槽底和槽口在聚焦环轴向上的间距之比大于等于...

本申请实施例提供了一种反射装置及半导体工艺设备，其中，所述反射装置包括筒体、盖体和法兰；筒体的内壁设有反射面，筒体的外壁沿筒体的高度方向间隔设置有第一凸环和第二凸环，第二凸环位于第一凸环上方，盖体套设于第一凸环和第二凸环外，盖体、第一凸...

本申请公开了一种进气组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，进气组件包括：盖板，设有进气口，所述进气口用于与微波发生腔连通；过滤件，设置在所述盖板远离所述微波发生腔的一侧，所述过滤件包括第一区域，所述进气口在所述过滤件上的投影落入所述第一...

本技术公开一种加热装置和半导体工艺设备，所公开的加热装置包括第一保温部、第二保温部和加热组件；所述第一保温部为筒状结构件，所述第二保温部与所述第一保温部的端部连接，以围成一端开口的加热内腔，所述加热组件包括第一加热件和第二加热件，所述第...

本技术提供了一种高度测量装置和半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域，以解决测量工艺管内壁顶部塌陷不便的问题。高度测量装置包括测量模块和驱动模块，测量模块包括显示组件和向上伸出的测量杆组件，测量杆组件的顶端能够与工艺管的内壁顶部接触，所...

本技术提供一种调节装置、红外测温装置以及半导体工艺设备。其中，调节装置包括第一调节机构和第二调节机构；第二调节机构设置在第一调节机构上，第二调节机构用于安装红外测温仪；第一调节机构用于使第二调节机构绕第一轴线运动，以调节红外测温仪在第一...

本技术提供一种复合坩埚以及晶体生长设备，其中，复合坩埚包括石墨坩埚主体和钽箔层；石墨坩埚主体包括底壁和侧壁，侧壁的下缘与底壁的边缘密封连接，以与底壁共同围成一个用于进行晶体生长工艺的生长腔体；钽箔层，包括至少一层钽箔片；至少一层钽箔片覆...

本技术提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗、射频线圈、第一测距部件和调节组件，介质窗设置在腔室本体的顶部；射频线圈设置在腔室本体外，并位于介质窗的上方；第一测距部件与射频线圈配合并朝向介质窗设置，用...

本发明提供了晶圆刻蚀方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：在晶圆进入工艺腔室之前，在聚焦环上沉积预设厚度的第一含碳层；控制晶圆进入工艺腔室，对光阻层下方的膜层进行刻蚀，以将光阻层的图形传递到下方膜层。上述刻蚀方式中，在不更改半导体工艺...

本申请公开了一种物料调度的监测方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：接收被监测设备在完成针对一物料的工艺动作后发出的通知；其中，通知至少携带：物料的标识信息，执行工艺动作的腔体的标识及工艺动作的完成时间；基于通知，更新与执行工艺动作的...

本申请提供一种承载舟及传输装置，传输装置用于传输多个承载舟，包括安装主体、抓取机构以及驱动机构；其中，抓取机构的数量为两个，二者均与安装主体可转动地连接，两个抓取机构分别位于承载舟相背的两个侧面两侧，每个抓取机构均包括至少一个抓取部，各...

本申请公开了一种工艺腔室的清洗方法及半导体工艺设备，清洗方法包括：第一含硅的副产物和含硅‑金属的混合副产物清洗步骤，向工艺腔室通入第一含氟气体和第一含氯气体的混合清洗气体，以清除所示第一含硅的副产物和含硅‑金属的混合副产物，其中，第一含...

本发明提供了温度控制系统、方法及半导体清洗设备；其中，该系统包括：第一温度传感器检测工艺槽体内药液的第一温度，第二温度传感器检测加热完成的药液的第二温度；控制模块用于当第二温度小于第二目标温度时，生成第二控制信号，此时控制回路根据第二控...