半导体工艺设备及其下电极组件制造技术

本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极组件，下电极组件包括热包括热边缘环和聚焦环，其中，聚焦环具有沿内圈设置的支撑槽，支撑槽的槽底用于支撑晶圆，热边缘环位于聚焦环的下方，热边缘环的环宽与支撑槽的槽底和槽口在聚焦环轴向上的间距之比大于等于4.5，且小于等于12。本申请通过支撑槽的侧壁高度越高，晶圆边缘的上方向远离晶圆中心的方向移动的等离子体数量越少，热边缘环能够改变晶圆边缘的上方等离子体运动方向的分布情况。支撑槽和热边缘环配合调整晶圆边缘的上方等离子体的运动方向，能够提高晶圆边缘位置和中心位置的刻蚀速率的一致性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备及其下电极组件。

技术介绍

1、以集成电路为核心的半导体芯片制造过程包括光刻掩膜、刻蚀和薄膜沉积等复杂的工艺步骤。其中，刻蚀工艺通过等离子体对晶圆进行加工。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和晶圆衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学变化，完成材料的精确刻蚀。

2、整个晶圆表面刻蚀速率均一性的控制一直是等离子体刻蚀设备设计关注的主要问题之一，尤其是如何使晶圆边缘位置和中心位置的刻蚀速率保持一致。然而该问题始终未得到有效解决。

3、因此，如何提高晶圆边缘位置和中心位置的刻蚀速率的一致性是本领域技术急需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备及其下电极组件，其能够提高晶圆边缘位置和中心位置的刻蚀速率的一致性。

2、为实现本申请的目的而提供一种下电极组件，用于半导体工艺设备，包括热边缘环和聚焦环，其中，...

【技术保护点】

1.一种下电极组件，用于半导体工艺设备，其特征在于，包括热边缘环和聚焦环，其中，

2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述支撑槽的槽底至槽口之间的距离大于等于1.7mm，且小于等于2.1mm。

3.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述热边缘环环宽大于等于10mm，且小于等于20mm。

4.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述热边缘环为阳极氧化铝材质。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的下电极组件，其特征在于，还包括静电卡盘，所述聚焦环和所述热边缘环围绕在所述静电卡盘外周，所述聚焦环的内圈与所述静电卡盘外...

【技术特征摘要】

1.一种下电极组件，用于半导体工艺设备，其特征在于，包括热边缘环和聚焦环，其中，

2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述支撑槽的槽底至槽口之间的距离大于等于1.7mm，且小于等于2.1mm。

3.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述热边缘环环宽大于等于10mm，且小于等于20mm。

4.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述热边缘环为阳极氧化铝材质。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的下电极组件，其特征在于，还包括静电卡盘，所述聚焦环和所述热边缘环围绕在所述静电卡盘外周，所述聚焦环的内圈与所述静电卡盘外壁之间的距离大于等于2mm，且小于等于10mm。

6.根据权利要求5所述的下电极组件，其特征在于，所述热边缘环...

【专利技术属性】
技术研发人员：何艳，卫晶，张德群，董云鹤，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：