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本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极组件，下电极组件包括热包括热边缘环和聚焦环，其中，聚焦环具有沿内圈设置的支撑槽，支撑槽的槽底用于支撑晶圆，热边缘环位于聚焦环的下方，热边缘环的环宽与支撑槽的槽底和槽口在聚焦环轴向上的间距之比大于等于4....
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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