【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺设备领域，尤其涉及一种加热装置和半导体工艺设备。
技术介绍
1、半导体片材在制造过程中的各种氧化、退火和薄膜生长等工艺，都是在一定温度下进行的，因此，半导体片材在半导体工艺设备的反应腔室内进行工艺时，通常需要对反应腔室进行加热。
2、为了对反应腔室加热，相关技术通过将加热件环设在反应腔室的侧壁，从而实现对反应腔室的加热。然而，由于反应腔室的顶部与外部接触面积较大，加热件在对反应腔室加热时，反应腔室的顶部温度相对于中间部位的温度较低，从而使得反应腔室的温度分布一致性较差，从而会影响半导体片材的性能。
技术实现思路
1、本技术公开一种加热装置和半导体工艺设备，以解决相关技术中的反应腔室在顶壁的位置处散热过快，从而使得反应腔室的温度分布一致性较差，进而影响半导体片材工艺后的性能的问题。
2、为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
3、第一方面，本申请公开一种用于半导体工艺设备的加热装置，所公开的加热装置包括第一保温部、第二保温部和加热组
4本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体工艺设备的加热装置，其特征在于，包括第一保温部(100)、第二保温部(200)和加热组件(300)；
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一保温部(100)包括第一保温层(110)和第二保温层(120)，所述第二保温层(120)套设于所述第一保温层(110)之外，且与所述第一保温层(110)之间形成保温间隙(130)，所述第一加热件(310)设于所述第一保温层(110)。
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热件(310)设于所述第一保温层(110)内。
4.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的加热装置，其特征在于，包括第一保温部(100)、第二保温部(200)和加热组件(300)；
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一保温部(100)包括第一保温层(110)和第二保温层(120)，所述第二保温层(120)套设于所述第一保温层(110)之外，且与所述第一保温层(110)之间形成保温间隙(130)，所述第一加热件(310)设于所述第一保温层(110)。
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热件(310)设于所述第一保温层(110)内。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一保温部(100)开设有连通所述加热内腔的进气通道，所述第二保温部(200)开设有将所述加热内腔与所述加热装置的外部环境连通的排气通道(210)。
5.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，所述第二保温部(200)开设有多个所述排气通道(210)，多个所述排气通道(210)的进气口与所述加热内腔连通，且环绕所述第一保温部(100)的中心轴线间隔排布。
6.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，所述排气通道(210)包括第一排气段(211)、第二排气段(212)和第三排气段(213)，所述第一排气段(211)和所述第三排气段(213)均沿第一方向延伸，所述第二排气段(212)沿第二方向延伸，所述第一排气段(211...
【专利技术属性】
技术研发人员：张珊珊，刘红丽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。