北京北方华创微电子装备有限公司专利技术

北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利

  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室,其包括:第一腔体、内衬、第二腔体和排气机构;内衬设于第一腔体内,内衬的环绕空间形成第一内腔,第二腔体包括第一端部和第二端部,排气机构设于第一腔体与第一端部之间,第二腔体设有从第一端部延伸至第二端部的...
  • 本申请实施例提供了一种调节装置和半导体工艺设备,其中,所述调节装置包括:第一连接件、第二连接件和至少三个间距调整器;第一连接件与第二连接件间隔设置,间距调整器包括第三连接件和滑动器,第三连接件的一端与第一连接件转动连接,另一端与滑动器连...
  • 本发明提供一种用于半导体热处理设备的回转机构及半导体热处理设备,半导体热处理设备还包括晶舟,回转机构包括:支撑部,用于承载晶舟,支撑部具有第一限位部;驱动轴,用于驱动支撑部转动,驱动轴具有第二限位部,第一限位部与第二限位部可拆卸地插接配...
  • 本申请公开了一种离子束流测量头及离子束流测量装置,离子束流测量头包括:收集板,用于收集所述离子束流中的正离子;至少两个绝缘元件,每个所述绝缘元件一端与所述收集板固定连接,另一端可滑动地设置于所述收集板上,所述至少两个绝缘元件朝向所述收集...
  • 本发明提供一种流量比例控制方法、装置和半导体加工设备,该方法包括:根据预先配置的硬件参数,确定各进气管路组中所有进气管路的通气截面积中的最大值;确定多个区域中流量比值最大的区域,并将该区域对应的目标通气面积设定为最大值;根据最大值以及各...
  • 本申请提供一种半导体工艺设备及其点火腔室,点火腔室包括腔室本体和输送管线,腔室本体包括燃烧室内壁和包围燃烧室内壁的燃烧室外壁,二者之间形成稀释气通道,燃烧室外壁连有稀释气管线,稀释气管线与稀释气通道连通,燃烧室内壁连有燃料气管线和助燃气...
  • 本申请涉及一种药液管理方法、药液管理设备及半导体工艺设备,药液管理方法包括:接收到针对目标工艺槽的第一药液更新需求,检测目标工艺槽当前的状态;响应于目标工艺槽处于响应第二药液更新需求的状态,比较第一药液更新需求与第二药液更新需求的优先级...
  • 本发明提供了半导体工艺设备及其控制方法;其中,在半导体工艺设备控制方法中,响应于当前工艺任务开始执行,根据半导体工艺设备的标识信息的值判断是否需要提前对下一工艺任务的控制模式进行切换;若是,控制下一工艺任务的控制模式从管道模式切换为串行...
  • 本发明公开了一种故障模式影响判定方法和半导体工艺设备,包括:获取n个评价主体对半导体工艺设备的m个故障的a种评价因子评分,n、m和a都为大于1的整数,根据n个评价主体对m个故障的a种评价因子评分,确定各个评价主体对各个故障的评分权重和评...
  • 本说明书实施例提供了一种调度方法、装置、半导体工艺设备及存储介质,其中调度方法在当前状态下,目标晶圆位于第一机械手上时,通过遍历目标晶圆的下一步目标模块,获得多个第一备选序列;如此,通过遍历目标晶圆的下一步目标模块的方式获得第一备选序列...
  • 本申请提供一种半导体工艺设备、工艺腔室及下电极组件,下电极组件包括卡盘、边缘环以及聚焦环,卡盘用于承载晶圆;边缘环围绕卡盘设置,用于保护聚焦环;聚焦环围绕卡盘设置,并位于边缘环的下方,聚焦环与边缘环配合形成调节电,聚焦环为中空,聚焦环用...
  • 本申请公开了一种工艺任务的执行方法及半导体工艺设备。其中,该方法包括:在预设的调节时机,获取设定时间段内采集的实际大气压力的等效值,所述调节时机包括以下至少一个:工艺任务执行前、工艺任务中的工艺执行前和工艺中的主工艺步的前一工艺步执行前...
  • 本申请提出一种半导体加工设备,包括反应腔室、上盖以及:法兰,设置于上盖;导向件,与反应腔室相固定;第一导向组件,与上盖相对固定,且抵接于导向件的第一侧面;第二导向组件,与上盖相对固定,且抵接于导向件的第二侧面,所述第二侧面与第一侧面不共...
  • 本申请公开了一种存片机构、翻转机构、翻转装置及传输系统,涉及半导体装备领域。一种存片机构包括:多个限位端,每个限位端在存片机构的中部区域至边缘区域的方向上可移动,且每个限位端朝向中部区域的一侧设有多层分别用于限位多片晶圆的限位槽。一种翻...
  • 本发明公开一种承载装置及半导体工艺腔室,属于半导体工艺设备技术领域,所述的承载装置包括依次堆叠的多个承载舟,其中,每个所述承载舟均包括多个舟片和多个导电结构,在每个所述承载舟中,相邻的两个所述舟片中的一者为奇数舟片另一者为偶数舟片;每个...
  • 本说明书实施方式提供了一种温度报警方法、装置、半导体工艺设备及电子设备,该温度报警方法应用于半导体工艺设备,半导体工艺设备中设置有多个加热带,包括:获取目标加热带的工艺信息;基于目标加热带的工艺信息,确定目标加热带的目标安全温度范围;目...
  • 本发明提供了一种温度控制方法、装置及半导体工艺设备,涉及半导体技术领域,该温度控制方法用于对半导体设备中的目标温区进行温度控制,半导体设备包括用于对目标温区进行加热的加热装置,用于检测目标温区温度的温度传感器和用于对目标温区进行降温的降...
  • 本发明提供了一种半导体承载系统及半导体设备,涉及半导体设备技术领域,为解决相关技术提供的半导体设备中,晶圆的温度均匀性差的问题而设计。该半导体承载系统包括承载装置和能够向承载装置的承载面与晶圆之间形成的导热空间供气的气路系统,该气路系统...
  • 本申请公开了一种匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室,涉及半导体领域。一种匀流结构,应用于半导体工艺设备的工艺腔室,匀流结构包括:第一匀流件、多个遮挡件和多个弹性件;第一匀流件设有沿匀流结构的中心至边缘分布的多圈第一气孔;多个遮挡件沿匀流...
  • 本申请公开了一种磁控管驱动机构和磁控溅射设备,涉及半导体技术领域,可以在不开腔和不拆卸磁控管的前提下,调整靶材与磁控管的间距,大幅降低了成本。磁控管驱动机构包括:驱动组件,第一传动组件和第二传动组件;驱动组件与第一传动组件连接,用于带动...