本申请实施例提供了一种冷却座、承载装置及半导体工艺设备，涉及冷却座调温技术领域，其中，所述冷却座包括：座体和多个调节件；座体设有冷却流道，冷却流道包括入口和出口，冷却介质能够经入口进入冷却流道，流经冷却流道的冷却介质能够从出口流出；调节...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体设备，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体设备包括工艺腔室，工艺腔室包括腔室本体以及设于腔室本体内的安装件、加热灯和基座；其中，安装件与腔室本体的内壁相连，加热灯通过安装件固定于腔室本体内、并与安装件活...

本发明提供一种工艺槽装置及半导体工艺设备，该装置包括具有顶部开口的工艺槽体和槽盖组件，槽盖组件包括用于开合顶部开口的槽盖主体，和设置于槽盖主体的梳齿结构，其中，梳齿结构具有沿第一方向排布的多个齿部和位于各相邻两个齿部之间的齿槽；在槽盖主...

本说明书实施例提供了一种配置文件的处理方法，通过响应于携带有设备类型的第一配置指令，在显示页面中显示与所述设备类型对应的默认层级关系配置树和页面导航池，以使用户可以通过针对目标子节点的配置操作，将目标子节点配置于默认层级关系配置树的一级...

本申请公开了一种晶圆调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：根据集束搜索得到的各动作序列的目标函数值确定出第一候选动作序列；在同一个新出晶圆对应的所有动作序列中确定出最快到达工艺腔室的第二候选动作序列；响应于候选动作序列中动作的个数...

本申请公开了一种进气组件及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种进气组件，包括：进气环结构和挡环结构；进气环结构包括环形的主体部，主体部的端面设有环形的凹槽；主体部内还设有与凹槽连通的进气通道；挡环结构包括环形的第一挡板和环形的第二挡板；...

本发明提供一种阀体结构及半导体工艺设备，其包括：阀板；与阀板两端连接的两条连杆；能够提供两个旋向相反的旋转动力的两个驱动源；分别与两个驱动源和两条连杆连接的第一传动件和第二传动件，均用于将对应的驱动源提供的旋转动力转换为沿指定升降方向的...

本申请公开了一种机械手下垂程度的检测方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：向机械手控制单元发送机械手检测指令，所述机械手检测指令用于指示所述机械手控制单元对机械手执行下垂程度检测动作并获取所述机械手的下垂距离；接收所述机械手控制单元发...

本公开实施例提供了一种用于晶圆传输平台的晶圆定位方法、电子设备和工艺设备。该晶圆定位方法包括：获取晶圆在晶圆传输平台内的第一图像；获取晶圆的图像特征；根据图像特征在第一图像上对晶圆进行初始定位，获得初始定位信息；基于初始定位信息，采用粒...

本发明公开一种电连接结构、下电极组件和工艺腔室，所公开的电连接结构用于晶圆承载装置，所述电连接结构包括绝缘基部和导电部，其中：所述导电部用于向所述晶圆承载装置供电，导电部包括顺序连接的第一刚性导电件、可形变导电件和第二刚性导电件，所述第...

本申请提供了一种晶圆冷却方法、刻蚀方法、工艺设备及可读存储介质，其中，该晶圆冷却方法应用于冷却装置，晶圆的上表面沉积有金属薄膜，金属薄膜的材料为包括第一金属和第二金属的合金材料，且第一金属的含量大于第二金属的含量；该晶圆冷却方法包括：根...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体工艺设备；该半导体工艺设备包括工艺槽、晶圆承载装置和鼓泡装置，晶圆承载装置具有多个沿第一方向间隔设置的晶圆承载部，鼓泡装置包括多个沿预设轨迹平行间隔设置的第一鼓泡管道，预设轨迹为开口朝上...

本申请公开了一种混气装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，可以精确控制源气体的反应温度，进而避免因气体冷凝导致的颗粒问题，从而提高薄膜质量。混气装置包括：混气组件、第一进气管路和第二进气管路；混气组件设置有第一进气通道、第二进气通道...

本公开提供一种上电保护系统和半导体工艺装置，属于半导体制造技术领域。其中，上电保护系统包括：第一控制模块、多个第二控制模块、第一开关元件和多个第二开关元件；第一控制模块，被配置为根据其所接收到的至少一个第一监测信号，生成第一控制信号；第...

本发明提供一种射频聚焦装置、下电极结构及工艺腔室，射频聚焦装置，包括：基环，内部设置有容纳腔，所述容纳腔环绕所述基环的轴线设置；聚焦环，设置在所述容纳腔内，所述聚焦环用于提供偏压；导电件，与所述聚焦环电连接，所述导电件用于与射频源电连接...

本发明提供一种半导体工艺腔室及其控制方法、半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括：腔体、承载装置及阻抗检测组件，承载装置可升降的设置于腔体中，承载装置包括吸附盘和设置在吸附盘下方的冷却盘，吸附盘设有电极，电极用于与射频偏压电源连接；阻抗检测...

本发明提供一种下电极结构、制冷装置及工艺腔室。下电极结构包括：基座，其顶部设置承载面，基座包括制冷层和隔热层，制冷层位于承载面下方，制冷层内设置有第一流道，隔热层设置在制冷层的下方；冷却盘，设置在基座底部，冷却盘内设置有第二流道，第一流...

本申请公开了一种静电消除装置及半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。静电消除装置包括电源和去静电发生单元，去静电发生单元包括第一电极、第二电极和绝缘壳体，绝缘壳体设有等离子体腔、入口和出口，入口和出口均与等离子体腔连通，入口用于供气体...

本发明公开一种金属互连方法及半导体器件，所公开的金属互连方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括第一金属部和位于所述第一金属部上的介质层，且所述介质层设有通孔，所述第一金属部显露于所述通孔的底部；在所述通孔中沉积覆盖所述第一金属部的...

本申请实施例提供了一种承载装置及半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述承载装置包括：基座、支撑机构和夹持机构；支撑机构沿竖直方向穿设于基座，夹持机构设于基座的外周，基座能够相对支撑机构升降；在基座由第一位置升高至第二位置的情...