本发明提供一种风冷装置及半导体设备，半导体设备包括保护罩，保护罩的顶盖上设有多个连通口，风冷装置包括：设置在保护罩上方的进风结构，进风结构包括：设在进风结构顶面的进风口和位于进风结构内部的多个独立的通风道；进风口包括多个子进风口，每一通...

本发明提供了一种DCP定时任务的处理方法、执行方法、计算设备及存储介质，涉及半导体技术领域。该DCP定时任务的处理方法包括：确定时间轮定时器的当前时间；在时间轮定时器的当前时间与计算机的系统时间的差值大于时间差值的情况下，基于计算机的系...

本申请提供了一种调度方法、装置、半导体工艺设备及计算机可读存储介质，其中，所述调度方法通过获取可达图，并基于可达图和全局禁忌表，采用蚁群算法确定目标调度序列，以供机械手调度工艺对象，全局禁忌表用于记录每一轮迭代中各蚂蚁对应的死锁标识，死...

本发明提供了工艺文件生成方法及半导体工艺设备；其中，在工艺文件生成方法中，获取用户编辑的工艺配方，根据工艺类型从多个工艺模板文件中确定目标工艺模板文件，并根据工艺设定值和目标工艺模板文件生成工艺文件。上述生成方式中，预先创建多个工艺模板...

本申请提供了一种配方文件的生成方法、执行方法、上位机、机台及设备，该生成方法包括：基于第一目标工艺配方与第一通用工艺步骤之间的对应关系，在工艺步骤数据库中查找与第一目标工艺配方相匹配的第一通用工艺步骤；工艺步骤数据库包括通用工艺步骤与工...

本申请公开了一种薄膜工艺的开发方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：根据需调整的工艺参数和工艺参数对应的参数范围，生成多个随机实验组；基于多个随机实验组进行第一工艺实验，并获取对应的多个第一工艺结果，第一工艺结果中包括工艺指标和工艺指...

本发明提供了一种刻蚀终点检测方法及半导体工艺设备，该方法包括：采集刻蚀过程中能够反映刻蚀进程的刻蚀进度信号；对刻蚀进度信号进行去噪声处理，得到信号强度随时间变化曲线；将信号强度随时间变化曲线中预设滤波时间之前的假终点滤除；其中，预设滤波...

本发明提供一种清洁方法及半导体设备，半导体设备包括传输腔室、及用于对传输腔室抽真空的抽气泵组和高抽速泵，传输腔室的腔壁上设有出气口及多个充气口，出气口和多个充气口的分布方式配置成使传输腔室的各个拐角区域均能够被气体吹扫；抽气泵组的抽速低...

本申请公开了一种气体分配装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种气体分配装置，包括：分配本体，分配本体设有：进气通道、抽气通道，以及多个输气通道；进气通道通过沿第一方向排布的多个进气孔分别与多个输气通道连通；抽气通道通过多个抽气孔分别...

本发明提供一种半导体工艺设备及其进气结构。进气结构包括导流组件和内部形成有匀气腔的基体；其中，导流组件位于匀气腔内；基体具有与匀气腔连通的进气通道以及与匀气腔连通的且沿第一方向排布的多个出气通道；进气通道用于向匀气腔内提供气体；导流组件...

本发明提供一种压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法。压环组件包括环形本体；在环形本体内沿其周向环绕设置有环形负压通道，环形负压通道在环形本体上形成有抽入口和抽出口；环形本体可升降地在第一位置和第二位置之间移动，在环形本体处于第一位置的情...

本申请公开了一种半导体工艺设备的调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：根据目标晶圆进入目标腔室执行工艺前目标腔室的空闲时间和预设的空闲时间阈值，判断目标晶圆进入目标腔室前是否需要对目标腔室执行与工艺对应的预处理操作；若确定需要对目...

本申请公开了一种副产物分离装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种副产物分离装置，用于对副产物进行分离处理，副产物分离装置包括：壳体、冷却管和多个导流件；壳体设有输入口和输出口，输入口用于接收工艺副产物，输出口用于输出工艺副产物的分离...

本申请公开一种循环装置、装卸载腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。循环装置包括进风通道、连通通道、热交换器、风机、出风通道和多个循环风扇，其中，所述进风通道通过所述连通通道与所述热交换器连通，所述热交换器与所述风机的进气口连通...

本申请公开了一种石墨托盘状态的检测处理方法、半导体工艺设备及介质。其中，该方法包括：获取石墨托盘表面多个检测点在三维极坐标系下的三维数据的集合，三维数据包括堆积物的高度值；根据高度值对三维数据的集合中的三维数据进行筛选，得到奇异点集合；...

本申请公开了一种等离子体源组件及半导体工艺腔室，属于半导体领域。一种等离子体源组件，应用于半导体工艺腔室，所述等离子体源组件包括：绝缘介质管、法拉第屏蔽件、线圈和导磁件；所述绝缘介质管用于与所述半导体工艺腔室的腔体连通；所述线圈绕设于所...

本发明提供一种隔离组件、上电极装置及半导体加工设备。隔离组件用于将半导体加工设备中的第一电极件和第二电极件电绝缘，隔离组件包括隔离主体，隔离主体中设置有用于传输清洁气体的气体通道，气体通道具有至少一个出气口，至少一个出气口位于隔离主体的...

本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、准直器、电容装置以及电容调节装置，腔室本体内设有用于承载晶圆的基座，腔室本体的顶部设有靶材安装位，准直器位于腔室本体内，且准直器设置于基座和靶材安装位之间；电...

本申请公开了一种应用于半导体工艺设备的起辉控制方法及半导体工艺设备，该起辉控制方法包括：在电源开启之前，屏蔽硬件软互锁报警，硬件软互锁报警包括：在检测到目标硬件的状态信号为异常时，中止起辉过程；目标硬件包括半导体工艺设备中参与起辉过程的...

本发明提供一种静电卡盘及反应腔室，该静电卡盘包括绝缘层和设置在绝缘层底部的加热体，还包括：冷却结构，设置在加热体的下方，且与加热体间隔设置，冷却结构用于通过冷却液体来将加热体的热量传递出去。本发明提供的静电卡盘，其可以在工艺过程中实现对...