本申请提供一种工艺腔室的状态监测方法，包括：获取实际工况中工艺腔室内工艺气体的当前电流；在当前电流满足预定条件的情况下，确定工艺腔室内发生弧光放电；其中，预定条件包括当前电流大于第一电流阈值，且当前电流处于供电电源的功率稳定输出阶段。本...

本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该承载装置包括基台、调整环和手指，基台的台面固设有沉积环；沉积环的顶面具有第一环面和第二环面，第一环面用于承载晶圆，第二环面具有限位结构；调整环通过限位结构搭接并限位于第二环面...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的晶圆调度方法、半导体工艺设备和介质。方法包括：获取多个工艺任务；多个工艺任务包括在第一腔室对晶圆进行第一工艺和在第二腔室对晶圆进行第二工艺；多个工艺任务分别使用不同的第一腔室，以及使用相同的第二腔室...

本发明提供了晶圆调度方法及半导体设备；其中，该方法包括：首先确定半导体设备的瓶颈模块；然后，以半导体设备的当前状态为基点，搜索所有可调度的目标晶圆；遍历每个目标晶圆，并生成每个目标晶圆对应的调度分支；最后，基于分支筛选规则和瓶颈模块从多...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，该承载装置包括基座本体，基座本体承载晶圆所在平面为基准面，基座本体具有环形凸部，环形凸部的顶面与基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；基座本体还具有低于基准面的第一表面和第二表面，第一表面靠近...

本申请公开了一种工艺任务的启动控制方法及半导体清洗设备。其中，该方法包括：获取已启动工艺任务列表和待启动工艺任务列表，所述已启动工艺任务列表中包括已启动且仍在工艺区执行的已启动工艺任务，所述待启动工艺任务列表中包括至少一个待启动的待启动...

本发明提供了一种外延设备，涉及半导体制造技术领域，为解决相关技术提供的外延设备所制造的碳化硅外延片，厚度均匀性及掺杂浓度均匀性存在较大差异的问题而设计。该外延设备包括第一腔体、第二腔体、承载件和防护件，第一腔体与第二腔体相对设置，且第一...

本申请提供一种卧式炉设备及其晶圆载具，晶圆载具包括承载主体和承载件，承载主体上设置有多个承载结构，多个承载结构沿竖直方向间隔分布于承载主体上，各承载结构用于支撑承载件；承载件承载于承载结构上，承载件上设置有用于承载晶圆的承载槽。晶圆放置...

本申请实施例提供了一种承载装置及其控制方法，其中，该承载装置用于承载需进行半导体工艺处理的待处理件，该承载装置包括：至少三个支撑组件；所述至少三个支撑组件沿分布圆呈圆周分布，所述支撑组件包括水平调节机构、升降调节机构和顶针，所述水平调节...

本申请公开了一种晶圆状态的更新方法、下位机、上位机及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在接收到调用下位机中的取放片服务的第一指令后，更新数据库文件中的通道数据；向机械手发送取放片指令；在机械手执行完取放片操作后，更新下位机中的通道数据；...

本申请公开一种半导体工艺腔室及其调节方法，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体以及电磁装置，腔室本体内设有基座，基座设有晶圆承载面，电磁装置设置于腔室本体，电磁装置用于在基座的上方形成与基座的轴线相交的磁场，以对位于基座上方的...

本申请提供了一种用于半导体工艺设备的检测模组及半导体工艺设备，半导体工艺设备包括电极组件和用于向电极组件馈入射频信号的馈入电极；检测组件包括：第一导电套筒，环绕馈入电极设置且与馈入电极绝缘设置；第二导电套筒，环绕第一导电套筒设置且接地；...

本发明提供一种用于半导体工艺设备的工艺控制方法及半导体工艺设备。所述工艺控制方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述电流比例维持在一预定值，且相邻所述时段的所述电流比例的预定值不同，以提高刻蚀的径向分...

本申请公开一种基座组件及半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的基座组件包括基座和边缘保护件，所述边缘保护件位于所述基座的上方，所述基座与所述边缘保护件之间形成贯通通道，所述贯通通道具有相连通的第一开口和第二开口，所述第一开口可...

本公开提供一种加热器及其制备方法、半导体工艺设备，属于半导体技术领域，其可解决现有的加热器杂质阻隔性差、结构稳定性差以及维护成本高的问题。本公开的加热器包括：主体部，具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；一个以上的支撑部，设置在...

本申请公开一种托盘和半导体设备，属于半导体加工技术领域，所述托盘包括承载部和环绕所述承载部设置的限位部，所述承载部具有凹面和环绕所述凹面设置的承载面；所述承载面为平面，所述承载面用于承载晶圆；所述凹面相对所述承载面凹陷设置；所述限位部相...

本申请公开一种晶圆夹持机构及晶圆翻转装置，所公开的晶圆夹持机构包括基座以及活动地设于基座上的多个第一夹紧件和多个第二夹紧件，多个第一夹紧件和多个第二夹紧件均沿第一方向间隔地设于基座上，多个第一夹紧件和多个第二夹紧件可通过多处相对设置的第...

本公开提供一种偏置电压的调节方法、控制装置和系统、半导体工艺设备。调节方法包括：获取半导体工艺设备的下电极在下电极射频电源按照基准功率输出时的实际偏置电压，记作第一实际偏置电压；当第一实际偏置电压达到稳定时，获取第一实际偏置电压的精度；...

本发明提供一种上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备，上电极射频柱的连接结构用于半导体工艺设备，射频柱包括第一柱段和第二柱段，连接结构包括导电件，导电件用于在第一柱段与第二柱段之间在射频柱的轴向上具有预设间隙的状态下，分别与...

本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备。工艺腔室包括围绕基座设置的内衬组件，内衬组件包括第一弧形内衬、第二弧形内衬和环形内衬；第一弧形内衬在其周向上的开口与第二弧形内衬在其周向上的开口在第一方向上相对设置，第一弧形内衬的外周面与第二弧形...