气体分配装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本申请公开了一种气体分配装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种气体分配装置，包括：分配本体，分配本体设有：进气通道、抽气通道，以及多个输气通道；进气通道通过沿第一方向排布的多个进气孔分别与多个输气通道连通；抽气通道通过多个抽气孔分别与多个输气通道连通；进气通道的壁面设有进气端口，进气端口位于进气通道的两端之间；抽气通道的壁面设有抽气端口；每个输气通道的壁面设有沿第二方向排布的多个出气端口；气体分配装置通过出气端口向反应腔室提供气体。本申请至少能够解决薄膜均匀性较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，具体涉及一种气体分配装置及半导体工艺设备。

技术介绍

1、在集成电路成膜制备工艺中主要包括物理气相沉积(physical vapordeposition,pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)、原子层沉积(atomiclayer deposition,ald)等。物理气相沉积是在真空条件下，采用物理方法，将材料源：固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低气压气体过程，在基体表面沉积具有某些特性的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可以沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、聚合物等。化学气相沉积主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。原子层沉积是一种广泛应用于各种纳米薄膜材料的生长技术，其特点是能进行连续的自限制表面半反应，因而可以在高深宽比的基底上沉积厚度均匀且精确可控的薄膜。

2、原子层沉积是通过将不同的气相反应前驱物交替循环地通入高温真空腔室。然后不同反应前驱物在晶圆衬底表面形成吸附，最终通过前驱物反应形成沉积膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体分配装置，用于向反应腔室(20)提供气体，其特征在于，所述气体分配装置(10)包括：分配本体，所述分配本体设有：沿第一方向延伸的进气通道，位于所述进气通道两侧的抽气通道，以及位于所述进气通道下方且沿第二方向延伸、沿所述第一方向排列的多个输气通道；

2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述分配本体设有N条所述进气通道，以及分别位于N条所述进气通道两侧中每一侧的N条所述抽气通道，其中，N为大于1的整数；

3.根据权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，N条所述进气通道对应的所有的所述进气孔(310)与对应的所述输气通道连通的一端，沿所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种气体分配装置，用于向反应腔室(20)提供气体，其特征在于，所述气体分配装置(10)包括：分配本体，所述分配本体设有：沿第一方向延伸的进气通道，位于所述进气通道两侧的抽气通道，以及位于所述进气通道下方且沿第二方向延伸、沿所述第一方向排列的多个输气通道；

2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述分配本体设有n条所述进气通道，以及分别位于n条所述进气通道两侧中每一侧的n条所述抽气通道，其中，n为大于1的整数；

3.根据权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，n条所述进气通道对应的所有的所述进气孔(310)与对应的所述输气通道连通的一端，沿所述第一方向均匀排布在同一条线上。

4.根据权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，所述进气孔(310)包括相连通的倾斜孔段(311)和直孔段(312)，所述倾斜孔段(311)与所述进气通道连通，所述直孔段(312)与对应的所述输气通道连通；

5.根据权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，所有所述进气孔(310)包括沿所述第一方向排列的多组进气孔组，所述多组进气孔组与所述多组所述输气通道组一一对应；

6.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，每一个所述抽气孔(320)位于对应的所述输气通道沿所述第二方向的端部。

7.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述抽气端口(210)位于所述抽气通道沿自身延伸方向的中部区域；

8.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，沿抽气方向，所述抽气孔(320)的进气端的横截面积大于所述抽气孔(320)的出气端的横截面积。

9.根据权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，n条所述进气通道包括第一进气...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂士明，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：