【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体地，涉及一种支撑结构及半导体工艺设备、控温方法。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)作为晶圆制造的一道重要工艺，其原理为将气态反应源输送至外延设备的工艺腔室，通过加热，使反应源在晶圆表面产生化学反应，反应生成的原子或离子沿晶圆晶格生长形成薄膜。薄膜生长的均匀性与晶圆的温度息息相关。
2、红外测温技术被广泛应用于外延设备的温度监控。由于进行外延加工的晶圆表面具有特征图形，晶圆表面为非均匀表面，因此对晶圆表面进行红外测温无法得到准确的温度。由此，目前常通过测量承托晶圆的基座背面中心的温度来进行温度监控。而为了保证薄膜生长的均匀性，基座设置为可旋转，与此同时，基座背向晶圆的一侧设有支撑结构，以对基座进行支撑。
3、采用该方式，在实际工艺过程中，基座旋转，支撑结构随之旋转而周期性地经过基座背面与红外测温计之间，对红外测温计的测温光路造成遮挡，从而导致对基座测温的稳定性较差。
技术实现思路
1...
【技术保护点】
1.一种支撑结构，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述工艺腔室包括：腔室本体，设于所述腔室本体内的基座，位于所述基座下方的红外测温计；其特征在于，所述支撑结构包括：
2.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，还包括与所述多个支撑臂一一对应的多个锁止套筒，所述锁止套筒套设在对应的所述支撑臂上，所述支撑臂上设有第一限位部，所述锁止套筒上设有第二限位部；
3.根据权利要求2所述的支撑结构，其特征在于，所述第一限位部为形成于所述支撑臂的表面上的第一锯齿部，所述第二限位部为凸出设置于所述锁止套筒的内周面的第二锯齿部；
4.根据权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种支撑结构，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述工艺腔室包括：腔室本体，设于所述腔室本体内的基座，位于所述基座下方的红外测温计；其特征在于，所述支撑结构包括：
2.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，还包括与所述多个支撑臂一一对应的多个锁止套筒，所述锁止套筒套设在对应的所述支撑臂上，所述支撑臂上设有第一限位部，所述锁止套筒上设有第二限位部；
3.根据权利要求2所述的支撑结构，其特征在于，所述第一限位部为形成于所述支撑臂的表面上的第一锯齿部，所述第二限位部为凸出设置于所述锁止套筒的内周面的第二锯齿部；
4.根据权利要求3所述的支撑结构，其特征在于，所述第一锯齿部包括沿所述支撑臂的延伸方向排列的多个锯齿，所述锯齿包括由齿根向齿顶方向倾斜并逐渐靠近所述支撑轴的斜面、及由齿顶向齿根方向垂直或倾斜的锁止面，所述锁止面与水平面之间的夹角大于所述斜面与水平面之间的夹角。
5.根据权利要求2所述的支撑结构，其特征在于，沿竖直方向，所述支撑座的横截面积由靠近所述基座的顶端至远离所述基座的底端逐渐减小；所述锁止套筒用于与所述支撑座抵接的一面与所述支撑座的外周面相适配。
6.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述支撑座的材质...
【专利技术属性】
技术研发人员：李华南，陈沐谦，杨涛，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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