本申请提供了一种文件更新方法及上位机，该方法通过响应于文件更新请求来执行数据采集功能，数据采集功能包括获取目标文件的目标信息，并将目标信息发送给桥接程序以触发桥接程序创建或更新目标文件，目标信息包括候选设备数据以及各候选设备数据的数据采...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体热处理设备，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体以及内腔室，内腔室设置于腔室本体内，内腔室的内部空间作为等离子体产生区，内腔室为金属阻隔结构，腔室本体内设有晶圆反应区，等离子体产生区与晶圆反...

本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体，其顶部具有进气孔，进气孔用于向腔室本体内部输出工艺气体；第一转盘，绕第一轴线可转动地设置在腔室本体内，并位于进气孔的下方，进气孔的轴线方向与第一轴线平行；第二转盘，用于承载...

本申请提供了一种用于热退火设备的背侧进气组件及热退火设备，包括：反射板，用于向所述晶圆的背面反射所述晶圆发出的辐射能量；进气组件，为透明材质并设置在反射板上且具有进气内腔和出气孔，出气孔与进气内腔连通；进入进气内腔的惰性气体在进气内腔中...

本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外...

本技术公开一种靶盘和离子注入设备，所公开的靶盘包括盘体和导电组件；其中，所述盘体用于吸附晶圆，所述盘体包括沿水平方向依次层叠设置的导电基部、绝缘功能层和静电卡盘，所述晶圆吸附于所述静电卡盘背离所述绝缘功能层的一侧；所述导电组件包括导电销...

本技术公开一种供风装置和半导体清洗设备，所述供风装置包括风机模块和加热模块；所述风机模块与所述加热模块叠置，且所述加热模块位于所述风机模块的出风侧，所述加热模块包括第一加热组件，所述第一加热组件包括多个环形加热件，多个所述环形加热件依次...

本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外...

本发明提供一种尾气处理系统以及半导体工艺设备，其中，尾气处理系统包括：第一处理管路，其两端分别连通半导体反应腔室的尾气口和排气管路，第一处理管路用于利用燃烧反应处理尾气；第二处理管路，其两端分别连通半导体反应腔室的尾气口和排气管路，并且...

本发明提供一种门阀机构及半导体工艺设备，门阀机构包括：多个门阀，每个门阀均沿第一方向可移动地设置，门阀通过沿第一方向移动打开或关闭对应的门结构；第一联动机构，可移动地设置，第一联动机构与多个门阀驱动配合，第一联动机构通过移动驱动多个门阀...

一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质，本说明书实施例提供了一种压力控制方法，该方法综合当前时刻的开度增量（第二开度增量）和下一时刻的开度增量（第一开度增量），基于下一时刻的期望压力提前预判所需执行的开度动作，满足半导体工艺过程对于...

本申请公开一种汇聚装置和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的汇聚装置用于安装于半导体工艺设备的工艺腔室中，所述汇聚装置包括装置本体，所述装置本体用于安装于所述工艺腔室的内壁上，所述装置本体设有第一进口、第二进口、第一出口和第...

本申请提供一种半导体工艺设备及其承载装置，承载装置包括多个支撑部和至少三个伸缩机构；伸缩机构包括伸缩杆和驱动机构，各个伸缩杆均包括多个伸缩段，支撑部与各个伸缩杆中高度相对应的伸缩段相连，形成用于支撑晶圆的支撑位；驱动机构用于带动伸缩杆伸...

本发明提供一种半导体热处理设备及其校准方法，半导体热处理设备，包括：工艺腔室；基座，设置在工艺腔室内，基座顶部设置有工作台；竖直电磁驱动组件，环绕设置在工艺腔室的外周侧，以使基座悬浮；视觉摄像装置，设置在工作台的上方，视觉摄像装置与工作...

本申请公开一种晶圆支撑装置及半导体清洗设备，属于半导体清洗技术领域。晶圆支撑装置包括晶圆支撑架、检测装置和气流调节装置，晶圆支撑架设有用于供晶圆伸入的限位槽，限位槽的槽壁面设有气流喷射孔，通过气流喷射孔可向晶圆喷射气体；检测装置用于检测...

本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和喷淋件，腔室本体的顶部设有第一开口，腔室本体内设有基座；喷淋件设置于腔室本体内，喷淋件位于基座的上方，基座与喷淋件之间形成工艺空间，喷淋件包括多个喷淋板，...

本申请公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、分流管路和供流管路；工艺腔室的底部设有开口，分流管路设于工艺腔室内，且至少与工艺腔室的顶面贴合，分流管路设有多个喷气孔；供流管路伸入工艺腔室内，且与分流管路连通，供流管...

本申请提供了一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备，晶圆支撑装置用于在反应腔室中承载晶圆并带动所述晶圆升降，包括：托盘，用于承载晶圆；托盘承载台，用于承载托盘，且内部具有隔离内腔；冷却盘，设置在隔离内腔中；边缘支撑组件，围绕托盘设置，用于承载...

本发明公开了一种承载装置和半导体工艺设备，该承载装置包括承载主体和偏压模块，承载主体内设置有第一容置腔，偏压模块位于第一容置腔内；该承载装置还包括底座，底座固定设置在第一容置腔的底部，偏压模块的底部固定安装在底座上与底座可拆卸连接。本发...

本申请公开一种半导体工艺腔室、半导体工艺设备及介质窗的温度方法，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗和冷却装置，介质窗设置于工艺腔室的上方，冷却装置包括冷却腔室，冷却腔室设置于介质窗的上表面，且沿介质窗的周向延伸，冷却...