【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种半导体工艺设备的进气系统、半导体工艺设备及进气方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺设备和半导体加工工艺的快速发展，金属刻蚀在半导体行业中应用越来越广泛。在经过金属刻蚀工艺处理后，晶圆的表面易与工艺气体(如氯气)形成副产物，且残留在晶圆上的氯气也易腐蚀晶圆内的金属(如铝)。因此经过金属刻蚀工艺处理后的晶圆需经去胶设备进气系统处理后，才能送往下一道工艺。
2、去胶设备进气系统常用工艺气体包括氧气、水蒸气、氮气等，在去胶设备进气系统腔体内部高温和微波作用下，氧气可去除晶圆表面残胶和副产物，形成可挥发的二氧化碳和一氧化碳气体，而水蒸气可与副产物中的氯气结合形成挥发性更好的氯化氢气体，进而带走残余的氯气。在进行去胶处理时，若水蒸气的进气流量不稳定，则易造成去胶设备进气系统的去氯效果不佳，同时也会降低去胶速率，从而造成光刻胶残留于晶圆上的问题。因此，提升水蒸气的进气稳定性是去胶设备进气系统等半导体工艺设备的关键技术之一。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺设备的进气系统、半导体工艺设备及进气方法，能够提升水蒸气的进气稳定性。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请提供了一种半导体工艺设备的进气系统，包括储水箱、储气箱、水蒸气输送管路和供气管路，储水箱具有进水接口，且储水箱上设有第一加热装置，
4、水蒸气输送管路的两端分别与储水箱的出气口和储气箱的进气口相连通，储气箱
5、在进水接口和水蒸气输送管路中的一者处于导通状态的情况下，另一者处于截止状态。
6、第二方面，本申请提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和上述的进气系统，进气系统与工艺腔室可通断地连通。
7、第三方面，本申请提供了一种进气方法，应用于上述的进气系统，包括：
8、向储水箱内通入液态水，直至储水箱内的储水量达到预设储水量；
9、将液态水加热至预设温度，控制水蒸气输送管路处于导通状态，且进水接口处于截止状态；
10、当储气箱内的压力达到预设压力时，控制供气管路处于导通状态，且水蒸气输送管路处于截止状态；
11、当储水箱内的储水量低于补水储水量时，控制水蒸气输送管路处于截止状态，且进水接口处于导通状态；
12、当储气箱内的压力低于补气压力时，控制进水接口处于截止状态，且水蒸气输送管路处于导通状态。
13、本申请实施例中，半导体工艺设备的进气系统包括储水箱和储气箱，在使用时，可将储水箱的进水接口与外界的进水管路相连接，从而向储水箱内注入液态水，当储水箱内的液态水达到预设储水量时，控制进水接口及水蒸气输送管路处于截止状态，而后开启第一加热装置将储水箱内的液态水加热至预设温度，此时储水箱内可产生满足工艺需求的水蒸气，而后可导通水蒸气输送管路且控制供气管路处于截止状态，使储水箱内的水蒸气进入至储气箱内，当储气箱内的压力达到预设压力时，控制供气管路处于导通状态，如此水蒸气可进入工艺腔室参与工艺过程。
14、本申请实施例中，在进水接口和水蒸气输送管路中的一者处于导通状态的情况下，另一者处于截止状态；也就是说，进水接口和水蒸气输送管路不能同时导通，即：在储水箱内的储水箱低于补水储水量的情况下，控制水蒸气输送管路处于截止状态，导通进水接口；在储气箱内的压力低于补气压力时，截止进水接口，导通水蒸气输送管路。若储水箱和储气箱同时导通，在储水箱补水的过程中，常温的液态水进入储水箱内会降低储水箱的温度，从而使储水箱内的部分水蒸气冷凝，水蒸气浓度降低，如此将使储水箱内的水蒸气在进入储气箱时流量不稳定，进而造成储气箱内的水蒸气在进入工艺腔室时流量不稳定。而本申请实施例的进水接口和水蒸气输送管路不同时导通，则可避免储水箱在补水时产生的流量不稳定的水蒸气进入储气箱，从而避免流量不稳定的水蒸气进入工艺腔室。
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1.一种半导体工艺设备的进气系统，其特征在于，包括储水箱(100)、储气箱(200)、水蒸气输送管路(300)和供气管路(400)，所述储水箱(100)具有进水接口，且所述储水箱(100)上设有第一加热装置(260)，
2.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述供气管路(400)上设有流量控制装置(410)、第一开关阀(420)和第二开关阀(430)，所述流量控制装置(410)位于所述第一开关阀(420)的下游，所述第二开关阀(430)位于所述流量控制装置(410)的下游。
3.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括抽吸管路(600)，所述抽吸管路(600)的第一端与所述供气管路(400)可通断地相连通，所述抽吸管路(600)的第一端位于所述流量控制装置(410)和所述第二开关阀(430)之间。
4.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括混气管路(910)，所述混气管路(910)的第一端与所述供气管路(400)可通断地相连通，且所述混气管路(910)的第一端位于所述第二开关阀(430)的下游。
5.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括进水管路(700)，所述进水管路(700)与所述进水接口可通断地相连通，所述进水管路(700)上设有流量检测装置(720)，所述储水箱(100)设有液位检测装置(110)，所述流量检测装置(720)和所述液位检测装置(110)均用于获取所述储水箱(100)内的储水量。
6.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述第一加热装置(260)包裹所述储水箱(100)，所述进气系统还包括第二加热装置(210)，所述第二加热装置(210)包裹所述水蒸气输送管路(300)、所述储气箱(200)和所述供气管路(400)，
7.根据权利要求6所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括第一温度检测件、第二温度检测件(230)、第一过温开关(240)和第二过温开关(250)，所述第一温度检测件和所述第一过温开关(240)均设置于所述储水箱(100)，所述第二温度检测件(230)和所述第二过温开关(250)均设置于所述储气箱(200)。
8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括所述工艺腔室(500)和权利要求1至7中任一项所述的进气系统，所述进气系统与所述工艺腔室(500)可通断地连通。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括机台主体(930)、处理模块(931)、通讯模块(932)、模拟量输入模块(933)、数字量输入模块(934)、数字量输出模块(935)和温控模块(936)，
10.一种进气方法，应用于权利要求1至7中任一项所述的进气系统，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的进气方法，其特征在于，所述进气系统包括抽吸管路(600)，向所述储水箱(100)内通入液态水，直至所述储水箱(100)内的储水量达到预设储水量的步骤具体包括：
12.根据权利要求10所述的进气方法，其特征在于，所述进气系统包括抽吸管路(600)，所述控制所述水蒸气输送管路(300)处于导通状态之前还包括气箱初始化步骤；
13.根据权利要求10所述的进气方法，其特征在于，所述储水箱(100)还设有溢流接口，所述进气方法还包括：
14.根据权利要求10所述的进气方法，其特征在于，所述进气系统包括抽吸管路(600)，所述向所述储水箱(100)内通入液态水的步骤之前包括漏率检测步骤，所述漏率检测步骤包括：
15.根据权利要求10所述的进气方法，其特征在于，所述进气方法还包括温度检测步骤，所述温度检测步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的进气系统，其特征在于，包括储水箱(100)、储气箱(200)、水蒸气输送管路(300)和供气管路(400)，所述储水箱(100)具有进水接口，且所述储水箱(100)上设有第一加热装置(260)，
2.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述供气管路(400)上设有流量控制装置(410)、第一开关阀(420)和第二开关阀(430)，所述流量控制装置(410)位于所述第一开关阀(420)的下游，所述第二开关阀(430)位于所述流量控制装置(410)的下游。
3.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括抽吸管路(600)，所述抽吸管路(600)的第一端与所述供气管路(400)可通断地相连通，所述抽吸管路(600)的第一端位于所述流量控制装置(410)和所述第二开关阀(430)之间。
4.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括混气管路(910)，所述混气管路(910)的第一端与所述供气管路(400)可通断地相连通，且所述混气管路(910)的第一端位于所述第二开关阀(430)的下游。
5.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括进水管路(700)，所述进水管路(700)与所述进水接口可通断地相连通，所述进水管路(700)上设有流量检测装置(720)，所述储水箱(100)设有液位检测装置(110)，所述流量检测装置(720)和所述液位检测装置(110)均用于获取所述储水箱(100)内的储水量。
6.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述第一加热装置(260)包裹所述储水箱(100)，所述进气系统还包括第二加热装置(210)，所述第二加热装置(210)包裹所述水蒸气输送管路(300)、所述储气箱(200)和所述供气管路(400)，
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振昊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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