本发明提供一种半导体器件的制造方法，本发明的课题在于抑制半导体器件的特性产生偏差。该半导体器件的制造方法具有：对具有凸构造且形成有第一含硅层的衬底进行研磨的工序；取得研磨后的第一含硅层的面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据，决定使...

一种无线通信系统，具备第1无线通信装置以及在与所述第1无线通信装置之间进行无线通信的第2无线通信装置，所述第1无线通信装置与所述第2无线通信装置中的一个被设置于移动体中，并固定另一个，其中，所述第1无线通信装置具备无线发送接收部，其在与...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。可提高形成于衬底上的膜的特性。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将形成有具有硅氮键的膜、并对膜实施了前烘的衬底搬入处理容器的工序；以前烘的温度以下的第一温度向衬底...

包括：将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键的膜，该膜被实施了前烘；改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处理气体；干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度以下的第二温度对所述衬底进行加热。

本发明涉及气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本发明提供能够提高衬底间的膜厚均匀性的技术。本发明提供一种技术，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入...

本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的...

本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置，用于使形成在衬底上的膜的膜品质提高。该半导体器件的制造方法具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序，该循环中不同时地执行如下工序：向处理室内的衬底供给包含规定元素的原料的工序、从处理...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供一种提高衬底的处理均匀性的技术。本发明可提供一种技术，其具有下述工序：成膜工序，向处理室内的衬底上供给成膜气体和第一非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，于在所述处理室...

本发明提供一种能够抑制颗粒的产生的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于处理容器内；处理容器侧排气部，与处理容器连接；轴，以上端支承所述衬底载置台...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供用于将来自清洁气体的残留卤族元素从处理室内除去的新型吹扫技术。一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：向利用包含卤族元素的清洁气体将附着于内部的构件的氧化膜除去后的处理室内，以第...

一种半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。本发明提供一种技术，其具有下述工序：第一研磨工序，对衬底进行研磨，所述衬底在形成有多个布线用槽的第一绝缘膜上成膜有作为金属布线的第一层的金属膜；绝缘膜形成...

本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置，抑制半导体器件的特性偏差。衬底处理装置，包括：接收部，接收衬底的膜厚分布数据，所述衬底形成有：沟道区域；形成于所述沟道区域上的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成有构成为含硅膜的一部分的...

公开了一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法及气体分配组件。衬底处理装置包括被构造成将衬底载置于其上的衬托器、被构造成将处理气体从衬托器的上方侧供给至衬底的表面的处理气体分配组件、以及与处理气体分配组件相邻地布置的被构造成将惰性气体从衬...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性的偏差。具有下述工序：对在衬底上形成有多个电路结构的衬底，形成作为层合绝缘膜的一部分的第一绝缘膜的工序；对所述第一绝缘膜进行研磨的工序；对所述第一绝缘膜的...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜...

本发明将提供能够抑制晶体管的特性的偏差的结构作为目的。该结构具有：处理室；气体供给部，其向上述处理室供给硬掩膜形成气体；衬底载置部，其载置有形成有被蚀刻膜的第n批次的衬底Wn；加热部，其内包于所述衬底载置部；控制部，其基于在所述第n批次...

本发明涉及衬底处理装置、气体分散单元、半导体器件的制造方法及程序。根据本发明，提高了形成在衬底上的膜的特性，并且提高了制造生产率。所述衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；载置上述衬底的衬底载置台；和气体分散单元，其具有第1供给区域和第2...

实现抑制形成特性不连续的膜、成品率高的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。衬底处理装置包括：处理室；衬底载置台；使衬底载置台旋转的旋转部；多个原料气体供给构造；原料气体供给部；原料气体排气构造；分别与原料气体排气构造连接的多个原料气体排...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数...

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有：衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与衬底载置部的至少一部分相对，并且在中央具有气体供给通路；气体供给结构，与气体供给通路连通；反应气体供给部，与气体供...