衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸
Substrate processing method, substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and recording medium
Including: the substrate is moved into the processing container process, the substrate is formed with silazane Bond film, the film is carried out before drying; modification process, the substrate is heated to a first temperature of the gas supply substrate; drying process, the heating process in the ratio of the following the first high temperature, and the temperature before baking temperature on the substrate second.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
随着大规模集成电路(LargeScaleIntegratedCircuit：以下也简称为LSI)的微细化，控制晶体管元件间的漏电流干扰的加工技术增加了技术难度。LSI的元件间分离是通过如下方法来进行：在作为衬底的硅(Si)上相邻设置的分离对象的元件之间形成槽或孔等空隙，在该空隙沉积绝缘物。作为绝缘物，多使用氧化膜，例如使用硅氧化膜(SiO膜)。SiO膜可以通过Si衬底自身的氧化、化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD法)、绝缘物涂布法(SpinOnDielectric：SOD法)等形成。近年由于微细化，在进行向微细结构内的氧化物埋入、尤其是向纵向深、或横向窄的空隙结构内埋入氧化物时，利用CVD法的埋入方法存在技术极限。基于这样的背景，采用使用了氧化物(其具有流动性)的埋入方法、即SOD法变得增多。SOD法中，使用称为SO...
【技术保护点】
一种衬底处理方法，包括如下工序：将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键的膜，该膜被实施了前烘；改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处理气体；干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度以下的第二温度对所述衬底进行加热。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.31 JP 2013-1596671.一种衬底处理方法，包括如下工序：
将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键
的膜，该膜被实施了前烘；
改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处
理气体；
干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度
以下的第二温度对所述衬底进行加热。
2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，还包括如下工序：
向所述处理容器内供给处理液；
在所述处理容器内的气化器使所述处理液气化而产生所述处理
气体。
3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，
在所述改质处理工序中，以第一流量向所述衬底供给含氧气体，
在所述干燥处理工序之前或与开始所述干燥处理工序同时，使
向所述衬底供给的所述含氧气体的流量为比所述第一流量多的第二
流量。
4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，还包括如下工序：
在所述干燥处理工序之后，在所述第二温度对所述处理容器内
进行真空排气；
在所述真空排气的工序之后，在大气压下对所述处理容器内进
行排气。
5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，
所述处理气体是过氧化氢气体。
6.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：
将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键
的膜，该膜被实施了前烘；
改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处
\t理气体；
干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度
以下的第二温度对所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥野正久，角田彻，立野秀人，定田拓也，黑川正路，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，电子材料卢森堡有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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