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包括：将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键的膜，该膜被实施了前烘；改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处理气体；干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度以下的第二温度对所述衬底进行加热。...该专利属于株式会社日立国际电气;电子材料（卢森堡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气;电子材料（卢森堡）有限公司授权不得商用。