成膜方法和成膜系统技术方案

本发明专利技术是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明专利技术，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法和成膜系统
本专利技术涉及在表面形成有图案的基板上形成有机膜的成膜方法、计算机存储介质和用于执行该成膜方法的成膜系统。本申请基于2013年2月22日在日本提出的特愿2013-033216号主张优先权，在这里引用其内容。
技术介绍
例如，在多层布线结构的半导体设备的制造工序中，例如依次进行在半导体晶片(以下，称为“晶片”。)上涂布抗蚀液而形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理、对该抗蚀膜曝光规定的图案的曝光处理、对曝光的抗蚀膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀图案。将该抗蚀图案作为掩模，进行晶片的蚀刻处理，此后进行抗蚀膜的除去处理等，在晶片上形成规定的图案。这样重复多次进行在规定的层形成规定的图案的工序，制造多层布线结构的半导体设备。但是，这样在晶片上重复形成规定的图案时，在第n层形成规定的图案之后，为了以适当的高度形成第(n+1)层的抗蚀膜，要求涂布抗蚀液的面是平坦的。因此，以往，进行着在晶片的规定图案上形成有机膜、使其表面平坦化的操作。这样的有机膜的形成如下进行：在晶片上涂布有机材料，对所涂布的有机材料进行加热形成有机膜，接着例如通过干式蚀刻法(反应性离子蚀刻法)蚀刻有机膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，其在表面形成有图案的基板上形成有机膜，该成膜方法的特征在于，包括：在基板上涂布有机材料的涂布处理工序；此后，对所述有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜的热处理工序；和此后，对所述有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度的紫外线照射工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.22 JP 2013-0332161.一种成膜方法，其在表面形成有图案的基板上形成有机膜，该成膜方法的特征在于，包括：在基板上涂布有机材料的涂布处理工序；此后，对所述有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜的热处理工序；和此后，对所述有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度的紫外线照射工序，将所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序分别以所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序的顺序进行多次，至少在最后之前进行的所述紫外线照射工序中，除去所述有机膜的表面直至所述图案的表面露出。2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述紫外线照射工序中，一边对所述有机膜进行热处理，一边进行所述紫外线照射处理。3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：所述紫外线照射工序中的所述热处理是将基板载置于热处理板而进行的。4.如权利要求3所述的成膜方法，其特征在于：所述热处理板设置多个，以分别不同的温度进行所述紫外线照射工序中的所述热处理。5.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：所述紫外线照射工序中的所述热处理通过来自光源的照射光而进行。6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述紫外线照射工序中，至少控制处理气氛的氧浓度、紫外线的照度或紫外线的照射时间。7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：在所述紫外线照射工序后，还具有测定所述有机膜的膜厚的膜厚测定工序，基于所述膜厚测定工序中的测定结果，修正所述紫外线照射工序的处理条件。8.一种成膜系统，其在表面形成有图案的基板上形成有机膜，该成膜系统的特征在于，具有：在基板上涂布处理有机材料的涂布处理部；对所述有机材料进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：志村悟，岩尾文子，吉原孝介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP