树脂组合物及栅极绝缘膜制造技术

本发明专利技术提供一种树脂组合物，其包含含有羟基及氰基烷基的树脂(A)、分子内具有两个以上环氧基的环氧化合物(B)、分子内具有两个以上羟基且羟值为150～300mgKOH/g的固化剂(C)、和具有下述通式(1)所示结构的交联剂(D)。(上述通式(1)中，R1、R2为碳原子数1～20的烷基，R1和R2可以互相相同也可以不同)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及树脂组合物及栅极绝缘膜，更详细而言，涉及能够获得介电常数高、耐 药品性及密合性优异，并且即使在形成膜之后进行高温处理也可以适当防止密合性降低的 树脂膜的树脂组合物，及使用该树脂组合物得到的栅极绝缘膜。
技术介绍
近年来，积极进行了关于使用了有机材料、非晶氧化物的TFT(薄膜晶体管）的研 究。薄膜晶体管为在基板上具有半导体层、栅电极、源电极、漏电极及栅极绝缘膜的晶体管， 大致区分为底栅型和顶栅型。底栅型为在基板上具有栅电极、并在其上隔着栅极绝缘膜而 具有利用半导体层连结的源电极和漏电极的构成。另一方面，顶栅型为在基板上具有与半 导体层相接的源电极和漏电极、并在其上隔着栅极绝缘膜具有栅电极的构成。 对于构成这样的薄膜晶体管的栅极绝缘膜，要求其绝缘性、电气特性优异。高介电 常数的栅极绝缘膜能够实现在低电压下对晶体管的驱动，有助于装置的低耗电化。另外，例 如在底栅型中，在绝缘膜上将半导体层、栅电极、源电极形成为给定形状时，有时使用例如 光刻法及蚀刻法。在这种情况下，由于显影液、蚀刻液会接触栅极绝缘膜，因此要求绝缘膜 具有耐药品性。此外，在通过这样形成的栅极绝缘膜上，其后要形成半导体层、栅电极、源电 极，但形成这些半导体层、栅电极、源电极时会进行高温下的处理，因此要求栅极绝缘膜即 使在进行了这样的高温处理后也保持高密合性。 作为用于形成这样的栅极绝缘膜的树脂，例如，专利文献1公开了使用聚乙烯基 苯酚（PVP)形成栅极绝缘膜的技术。然而，在如该专利文献1这样使用了聚乙烯基苯酚的 情况下，虽然可以得到耐药品性某种程度上优异的栅极绝缘膜，但存在得到的栅极绝缘膜 的介电常数显著降低的问题。另外，非专利文献1公开了形成由氰乙基普鲁兰和具有三嗪 环的交联剂形成的栅极绝缘膜的技术，但这样的栅极绝缘膜在成膜后暴露于高温时，和基 材的密合性显著降低。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-56115号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 本专利技术的目的在于提供能够获得介电常数高、耐药品性及密合性优异，并且可以 适当防止在膜形成后进行高温处理时的密合性降低的树脂膜的树脂组合物，及使用该树脂 组合物得到的栅极绝缘膜。 解决问题的方法 本专利技术人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，可通过下述树脂组 合物而实现上述目的，所述树脂组合物是使用含有羟基及氰基烷基的树脂作为基础树脂， 并在其中配合特定的环氧化合物、特定的固化剂、以及特定的具有含烷氧基甲基结构的交 联剂而成的，本专利技术人等基于该发现而完成了本专利技术。 即，根据本专利技术，提供了： -种树脂组合物，其包含：含有羟基及氰基烷基的树脂（A)、分子内具有两个 以上环氧基的环氧化合物（B)、分子内具有两个以上羟基且羟值为150~300mgK0H/g的固 化剂（C)、以及具有下述通式（1)所示结构的交联剂（D)。 (上述通式（1)中，R\R2为碳原子数1~20的烷基，R1和R2任选相同或不同。） 根据上述所述的树脂组合物，其中，所述树脂㈧为通过对具有多个羟基 的含羟基有机化合物中包含的羟基的一部分进行氰基烷基化而得到的。 根据上述所述的树脂组合物，其中，所述含羟基有机化合物为普鲁兰或者 聚乙烯醇。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中，所述环氧化合物⑶ 为分子内具有两个以上的环氧基的含芳烃结构的环氧化合物。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中，所述固化剂（C)具有 酚性羟基作为所述羟基。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中还含有分子内具有酚性 的羟基且羟值低于150mgK0H/g的酚化合物（E)。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中还含有固化催化剂 (F)。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中，所述树脂㈧中含有 的羟基和氰基烷基的比例以"羟基：氰基烷基"的摩尔比计为30:70~2:98。 根据上述~中任一项所述的树脂组合物，其中，所述交联剂⑶为下 述通式（2)~（4)所表示的至少一种化合物。 (上述通式（2)~（4)中的R1、R2和上述通式（1)中相同，上述通式（3)中的R 3、 R4为碳原子数1~20的烷基，上述通式（3)中，R \ R2、R3、R4任选全部或任意个相同、或全 部不同），以及， -种栅极绝缘膜，其是使用上述~中任一项所述的树脂组合物而得 到的。 专利技术的效果 根据本专利技术，可以提供能够获得介电常数高、耐药品性及密合性优异，并且可以适 当防止在膜形成后进行高温处理时的密合性降低的树脂膜的树脂组合物，及使用该树脂组 合物得到的栅极绝缘膜。【附图说明】 图1为剖视图，示出了具备由本专利技术的树脂组合物形成的栅极绝缘膜的薄 膜晶体管的一例。 图2为剖视图，示出了图1所示的薄膜晶体管的制造方法。 图3为剖视图，示出了具备由本专利技术的树脂组合物形成的栅极绝缘膜的薄 膜晶体管的其他例子（第2例）。 图4为剖视图，示出了具备由本专利技术的树脂组合物形成的栅极绝缘膜的薄 膜晶体管的其他例子（第3例）。 符号说明 1、la…薄膜晶体管 2…基板 3…栅电极 4…栅极绝缘膜 5…半导体层 6…源电极 7…漏电极 8…保护层【具体实施方式】 (树脂组合物） 本专利技术的树脂组合物包含：含有羟基及氰基烷基的树脂（A)、分子内具有两个以 上环氧基的环氧化合物（B)、分子内具有两个以上羟基且羟值为150~300mgK0H/g的固化 剂（C)、和具有下述通式（1)所示结构的交联剂（D)。 (含有羟基及氰基烷基的树脂（A)) 作为含有羟基及氰基烷基的树脂（A)(以下记作"含羟基-氰基烷基树脂（A) "）， 为含有羟基和氰基烷基的树脂即可，没有特别的限定，可列举例如：通过使用具有多个羟基 的含羟基有机化合物作为起始原料，并使其和丙烯腈进行反应，从而使含羟基有机化合物 包含的羟基中的一部分进行氰基烷基化而得到的树脂等。 作为含羟基有机化合物，可列举例如：葡萄糖、果糖、半乳糖等单糖类；麦芽糖、蔗 糖、乳糖等二糖类；山梨糖醇、木糖醇等糖醇、纤维素、淀粉、普鲁兰等多糖类；甲基纤维素、 羧甲基纤维素等烷基纤维素、羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、二羟丙基纤维素等羟烷基纤维 素；羟丙基甲基纤维素，羟乙基甲基纤维素等羟烷基烷基纤维素；二羟丙基普鲁兰等多糖 类衍生物；聚乙烯醇等；聚乙烯基苯酚；酚醛清漆树脂；聚乙烯基苯酚；等。 这些中，从制成栅极绝缘膜的情况下介电常数的改善效果高的方面出发，优选普 鲁兰、聚乙烯醇。 另外，作为用于对含羟基有机化合物进行取代的氰基烷基，没有特别的限定，可列 举通式：-R-CN(R为碳原子数2~6的亚烷基）表示的基团，可列举例如：氰乙基、1-氰丙 基、1-氰丁基、1-氰己基等。这些中，从比较容易导入到含羟基有机化合物中、通用性高的 方面出发，优选氰乙基。另外，本专利技术使用的含羟基-氰基烷基树脂（A)也可以具有两种以 上的氰基烷基。需要说明的是，这样的氰基烷基可以通过使用相应的含氰基化合物、并使其 和含羟基有机化合物进行反应而引入。氰基烷基化率可以由基于NMR、元素分析的氮含有率 而算出。 在本专利技术使用的含羟基-氰基烷基树脂（A)中，羟基和氰基烷基的比例以"羟 基：氰基烷基"的摩尔比计，优选为50:50~2:98，更优选为30:70~本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂组合物，其包含：含有羟基及氰基烷基的树脂(A)、分子内具有两个以上环氧基的环氧化合物(B)、分子内具有两个以上羟基且羟值为150～300mgKOH/g的固化剂(C)、以及具有下述通式(1)所示结构的交联剂(D)，上述通式(1)中，R1、R2为碳原子数1～20的烷基，R1和R2任选相同或不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：堤隆志，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP