本发明专利技术揭示了一种涂胶方法，包括如下步骤：把有深孔的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶；加热硅片，使所述深孔内的光刻胶处于液态，同时使硅片绕一转轴公转，以使所述深孔底部的光刻胶在离心力的作用下流向靠近深孔的一侧的侧壁；保持硅片公转，并使硅片绕其自身的中心轴自转，以使光刻胶均匀分布在深孔的整个侧壁上而深孔的底部没有光刻胶；固化深孔整个侧壁上的光刻胶。本发明专利技术还揭示了一种涂胶装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种涂胶方法及涂胶装置。
技术介绍
三维封装技术由于其可以大大降低功耗、减轻重量、缩小体积、减弱噪声以及降低成本，已成为未来微电子封装发展的必然趋势。三维封装技术中最为核心的技术是TSV (Through Silicon Via), TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。目前，TSV工艺中有诸多技术难题需要攻克，例如硅片减薄、通孔制造以及键合等。其中，在硅片上制造通孔是TSV技术的关键环节之一。现有的通孔制造工艺中，通常先在硅片上制作盲孔。为了形成贯穿硅片的通孔，需要将盲孔的底部刻蚀掉，从而形成通孔，为了实现该道工艺，较为常见的做法是用光刻胶覆盖在硅片的表面以及盲孔的整个侧壁，在刻蚀盲孔底部时，光刻胶能够对除盲孔底部以外的区域形成保护，防止这些区域被刻蚀。如图1所示，为在具有盲孔101的硅片上涂覆光刻胶102的理想状态，也就是希望在硅片表面以及盲孔101的整个侧壁涂覆有均匀的光刻胶102，而盲孔101的底部没有光刻胶。然而，在实际工艺中，由于大的深宽比导致光刻胶202很难覆盖在深孔201靠近其底部的侧壁上，却在深孔201的底部集聚大量的光刻胶，如图2所示，使得后续刻蚀深孔201底部的工艺变得很困难。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种能够使光刻胶均匀涂覆在硅片表面及其深孔整个侧壁，而深孔底部却没有光刻胶的涂胶方法及涂胶装置。根据本专利技术的一实施例提出的涂胶方法，包括如下步骤:把有深孔的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶；加热硅片，使所述深孔内的光刻胶处于液态，同时使硅片绕一转轴公转，以使所述深孔底部的光刻胶在离心力的作用下流向靠近深孔的一侧的侧壁；保持硅片公转，并使硅片绕其自身的中心轴自转，以使光刻胶均匀分布在深孔的整个侧壁上而深孔的底部没有光刻胶；固化深孔整个侧壁上的光刻胶。在一个实施例中，在真空状态下向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶。在一个实施例中，在所述向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶的过程中，使硅片绕其自身的中心轴自转。在一个实施例中，在常压状态下保持硅片公转，并使硅片绕其自身的中心轴自转。在一个实施例中，所述固化深孔整个侧壁上的光刻胶的步骤进一步包括:向硅片吹保护性气体以固化深孔整个侧壁上的光刻胶。在一个实施例中，所述固化深孔整个侧壁上的光刻胶的步骤进一步包括:使硅片逐渐降温以固化深孔整个侧壁上的光刻胶。根据本专利技术的一实施例提出的涂胶装置，包括加工腔、硅片夹及喷嘴。硅片夹水平设置在加工腔内，硅片夹水平夹持有深孔的硅片，硅片夹带动硅片在加工腔内绕加工腔中心处的转轴公转，硅片夹还带动硅片绕硅片自身的中心轴自转。喷嘴向水平夹持在硅片夹上的硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶。在一个实施例中，所述硅片夹内设置有加热装置，用以对放置在硅片夹上的硅片进行加热。在一个实施例中，所述喷嘴向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶的过程中，所述加工腔保持真空状态。在一个实施例中，所述硅片在所述加工腔内进行公转和自转时，所述加工腔保持常压状态。在一个实施例中，所述加工腔内设置有多个娃片夹，该多个娃片夹对称设置在一基座上，该多个硅片夹同时绕加工腔中心处的转轴公转，还分别绕其自身的中心轴自转。在一个实施例中，所述加工腔的侧壁开设有穿过加工腔侧壁的两相对布置的通孔，硅片在所述加工腔内进行公转和自转的过程中，通过加工腔侧壁的一通孔向加工腔注入保护性气体，形成气流，以将雾状的光刻胶从加工腔侧壁的另一通孔排出加工腔。综上所述，本专利技术涂胶方法及涂胶装置利用旋转的离心力将硅片深孔底部的光刻胶移到深孔靠近其底部的侧壁上，并使光刻胶均匀分布在深孔的整个侧壁，而深孔底部没有光刻胶，使得后续刻蚀深孔底部的工艺变得简单易行。【附图说明】图1为在硅片表面及硅片深孔内涂覆光刻胶的理想状态图。图2为现有工艺中在硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶的状态图。图3揭示了根据本专利技术的一实施例的涂胶方法的流程图。图4(A)至图4(C)揭示了根据本专利技术的一实施例的与涂胶方法各步骤相对应的结构示意图。图5揭示了根据本专利技术的一实施例的涂胶装置的结构示意图。图6(A)至图6(B)揭示了硅片在涂胶装置内旋转的示意图。图7揭示了根据本专利技术的第二实施例的涂胶装置的示意图。图8揭示了根据本专利技术的第三实施例的涂胶装置的示意图。图9揭示了根据本专利技术的第四实施例的涂胶装置的示意图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及效果，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。参考图3及图4㈧至图4(C)所示，揭示了根据本专利技术的一实施例的涂胶方法的流程图及与涂胶方法各步骤相对应的结构示意图。为了使光刻胶均匀涂覆在硅片表面及其深孔的整个侧壁，而硅片深孔底部却没有光刻胶，根据本专利技术的一实施例提出的涂胶方法，包括如下步骤:步骤S1:把有深孔401的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔401内涂覆光刻胶402。如果该深孔401具有较大的深宽比，会导致深孔401靠近其底部的侧壁没有光刻胶402，而深孔401的底部聚集较多的光刻胶402，如图4(A)所示，从而导致后续刻蚀深孔401底部的工艺变得很困难。步骤S2:加热娃片,使娃片深孔401内的光刻胶402处于液态，同时使娃片绕一转轴高速公转，以使硅片深孔401底部的光刻胶402在离心力的作用下流向靠近深孔401的一侧的侧壁，如图4(B)所示。步骤S3:保持硅片高速公转，并使硅片绕其自身的中心轴低速自转，以使光刻胶402均匀分布在深孔401的整个侧壁上而深孔401的底部没有光刻胶402，如图4(C)所示。步骤S4:固化深孔401整个侧壁上的光刻胶402。在一个实施例中，在真空状态下向硅片表面及其深孔401内涂覆光刻胶402。在一个实施例中，在向硅片表面及其深孔401内涂覆光刻胶402的过程中，硅片绕其自身的中心轴低速自转，以使光刻胶402均匀涂覆在硅片表面及其深孔401内。在一个实施例中，在常压状态下保持硅片高速公转，并使硅片绕其自身的中心轴低速自转。在一个实施例中，通过向硅片吹保护性气体，例如氮气，固化深孔401整个侧壁上的光刻胶402。在一个实施例中，通过使硅片逐渐降温固化深孔401整个侧壁上的光刻胶402。本专利技术还提出了一种能当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种涂胶方法，其特征在于，包括如下步骤：把有深孔的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶；加热硅片，使所述深孔内的光刻胶处于液态，同时使硅片绕一转轴公转，以使所述深孔底部的光刻胶在离心力的作用下流向靠近深孔的一侧的侧壁；保持硅片公转，并使硅片绕其自身的中心轴自转，以使光刻胶均匀分布在深孔的整个侧壁上而深孔的底部没有光刻胶；固化深孔整个侧壁上的光刻胶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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