The invention relates to a square wafer processing device, which comprises a seat body, a cover body, coating device, vacuum pumping device, IPC etching device and glue edge device; the seat body comprises a support table and arranged on the supporting tray on the table and set in the rotary tray can absorb wafers by a first rotating disc; motor driven rotation; the cover body is driven by a first lifting hydraulic driving device, the bottom of the cover body and support table sealing; cover body is provided with an air inlet valve; the gumming device comprises a level set can be located into hose and hose end in setting expansion into shell glue outlet; the invention functions integrated, reduce cost, processing time and the number of operation, and can eliminate the influence of air on the wafer glue, the glue square wafer is more uniform, can realize the automatic leveling layer, the etching The utility model has the advantages of uniform structure and convenient disassembly, so as to effectively improve the efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种方形晶片加工装置及其工作方法
本专利技术涉及一种方形晶片加工装置,属于晶片设备领域。
技术介绍
晶片加工过程需要涂胶、刮胶以及IPC刻蚀,现有的晶片加工该工艺由不同的设备实现,成本高,耗时长,并且现有的涂胶机是非真空涂胶,把晶片放在转盘上进行常压的密闭或半密闭涂胶,该涂胶过程常见的问题为由于空气动力学的原因,对方形晶片涂胶时,方形晶片的四个角无法实现均匀涂胶,圆形晶片不会出现这种情况。现有的解决办法是利用喷胶机将光刻胶雾化,对基片进行喷涂,或加工一个与方形基片大小一致的内凹型圆吸盘,将方形基片嵌入,使之与吸盘形成一个整体。前者设备较昂贵且难以实现薄胶的均匀雾化喷涂,后者每次涂胶后均需清洗吸盘,且由于基片与吸盘无法无缝对接,亦无法完全满足均匀涂胶;此外,由于离心力的影响,使得涂覆的胶水外边缘凸起,在后续的工序中需将掩膜板盖在晶体上,由于凸起的形成,使得掩膜板与晶体间出现了间隙,该间隙造成曝光区域变大。现有技术中为了消除凸起,采用的方法是在涂胶后,将胶水烘干,继而人工用刀具刮除凸起部分。用刀具刮除胶水凸起效率低且品质不易把控。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种方形晶片加工装置及其工作方法;本专利技术功能集成化,有效减少成本、加工时间以及操作人数,并且可以排除空气对晶片涂胶的影响,使方形晶片涂胶更均匀,能够自动实现胶层的平整,使刻蚀更均匀,并且还有方便拆卸的工装,有效提高效率。本专利技术的技术方案如下:一种方形晶片加工装置,包括座体、罩体、涂胶装置、抽真空装置、IPC刻蚀装置和胶水去边装置;所述座体包括支撑台、设置在支撑台上的托盘和设置在托 ...
【技术保护点】
一种方形晶片加工装置,其特征在于:包括座体(1)、罩体(2)、涂胶装置(3)、抽真空装置(4)、IPC刻蚀装置(5)和胶水去边装置(6);所述座体(1)包括支撑台(11)、设置在支撑台(11)上的托盘(12)和设置在托盘(12)上可吸附晶片的转盘(13);转盘(13)由一第一电机(14)驱动转动;所述罩体(2)由一第一液压驱动装置(17)驱动升降,罩体(2)底部可与支撑台(11)密封配合;罩体(2)上设置有进气阀(21);所述涂胶装置(3)包括水平设置可伸缩的进胶管(31)和设置在进胶管(31)一端位于罩体(2)内的出胶口(32);所述进胶管(31)一端密封滑动穿入罩体(2)内,另一端连通一进胶装置(35);所述抽真空装置(4)包括设置在罩体(2)外的抽真空泵(41)和抽真空管(42);抽真空管(42)一端连接抽真空泵(41),另一端固定在罩体(2)上且连通罩体(2)内空间;所述IPC刻蚀装置(5)包括设置在罩体(2)内顶端的工作气体进气口(51)和功率源;所述胶水去边装置(6)包括设置在罩体(2)内的刮胶装置(62),所述刮胶装置(62)包括水平设置在罩体(2)内可伸缩的操作臂(62 ...
【技术特征摘要】
1.一种方形晶片加工装置,其特征在于:包括座体(1)、罩体(2)、涂胶装置(3)、抽真空装置(4)、IPC刻蚀装置(5)和胶水去边装置(6);所述座体(1)包括支撑台(11)、设置在支撑台(11)上的托盘(12)和设置在托盘(12)上可吸附晶片的转盘(13);转盘(13)由一第一电机(14)驱动转动;所述罩体(2)由一第一液压驱动装置(17)驱动升降,罩体(2)底部可与支撑台(11)密封配合;罩体(2)上设置有进气阀(21);所述涂胶装置(3)包括水平设置可伸缩的进胶管(31)和设置在进胶管(31)一端位于罩体(2)内的出胶口(32);所述进胶管(31)一端密封滑动穿入罩体(2)内,另一端连通一进胶装置(35);所述抽真空装置(4)包括设置在罩体(2)外的抽真空泵(41)和抽真空管(42);抽真空管(42)一端连接抽真空泵(41),另一端固定在罩体(2)上且连通罩体(2)内空间;所述IPC刻蚀装置(5)包括设置在罩体(2)内顶端的工作气体进气口(51)和功率源;所述胶水去边装置(6)包括设置在罩体(2)内的刮胶装置(62),所述刮胶装置(62)包括水平设置在罩体(2)内可伸缩的操作臂(621)、固定于操作臂(621)自由端的溶剂喷头(622)以及与溶剂喷头(622)连通的溶剂喷雾装置(623)。2.如权利要求1所述的一种方形晶片加工装置,其特征在于:所述支撑台(11)上设置有一与托盘(12)配合的凹槽(111);托盘(12)由一设置在凹槽(111)底部的第二液压驱动装置(121)驱动升降,使托盘(12)的位置可在凹槽(111)内外切换;所述凹槽(111)顶部设置有开合板(112);开合板(112)与凹槽(111)密封配合,开合板(112)上设置有可缓慢向凹槽(111)内漏气的单向稳压阀(114);所述支撑台(11)上设置有卡槽(113);卡槽(113)内设置有密封垫片;卡槽(113)与罩体(2)下端密封配合。3.如权利要求2所述的一种方形晶片加工装置,其特征在于:所述底座(1)侧壁上设置有观察窗(15);所述观察窗(15)上贴覆有减光膜(16);所述转盘(11)外圆周面上设置有外齿;所述第一电机(14)的转轴上固定有与外齿配合的齿轮(141);所述托盘(12)包括上盘(122)、下盘(123)以及设置在上盘(122)和下盘(123)之间的圆形电致伸缩层(124);所述电致伸缩层(124)由多块相同的电致伸缩扇形(124)拼接而成;电致伸缩扇形(124)分别由一电路控制沿厚度方向伸缩。4.如权利要求3所述的一种方形晶片加工装置,其特征在于:所述溶剂喷头(622)与操作臂(621)交界处下方竖直设置有一与溶剂喷头(622)等宽度的隔离挡板(624),所述隔离挡板(624)其中一端设有一延伸部(625),所述延伸部(625)上连接有擦胶辊筒(626),所述擦胶辊筒(626)表面覆盖有吸水性材料。5.如权利要求4所述的一种方形晶片加工装置,其特征在于:所述溶剂喷雾装置(623)包括气动隔膜泵(6231)和溶剂罐(6235),所述气动隔膜泵(6...
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