本发明的目的在于，即使在将处理室维持在高温来处理衬底的情况下也能够抑制对周围构造的热影响。作为方式之一而提供一种衬底处理装置，其具有：第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理第一衬底的第一处理空间、配置在第一处理空间的下方的第一...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。本发明的方法能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成掺杂有掺杂剂的晶种层的工序，所述循环包含对衬底供给卤系的第一...

提供衬底处理装置和半导体器件的制造方法，在利用喷头对衬底供给气体时能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。衬底处理装置具备：具有衬底处理室的处理模块；设于处理模块的衬底搬入搬出口；配置在衬底搬入搬出口附近的冷却机构；具有衬底载置...

本发明提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。本发明提供能够在具有多个腔室的装置中实现高温处理的技术。包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对第一气体和第二气体进行排...

本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理室，对衬底进行处理；轴，设置于移载室；衬底载置台，与轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于移载室的壁的处理室侧；第二隔热部，设置于轴的衬底载...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和对...

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行...

本发明提供一种降低由加热器加热的气体管的温度不均的结构。具有：隔热部，其配置在发热体的与气体管相反的一侧；包围体，其将隔热部及发热体包围；固定部，其设在包围体的外侧，且在包围体的一端侧和另一端侧相邻的状态下将一端侧和另一端侧固定；和温度...

无线通信装置被设为发送无线信号的发送期间与接收无线信号的接收期间不重叠，具备：发送部，其包括正交调制部和发送功率放大部，正交调制部对IQ调制而得的调制信号进行正交调制，发送功率放大部对所述正交调制而得的信号进行功率放大；接收部，其包括解...

提供一种处理装置，该处理装置包括：操作部，其具备对规定的编辑文件进行编辑的操作画面；存储部，其存储所述编辑文件，所述编辑文件至少包括与规定的图形图像文件相当的数据和与规定的数据文件相当的数据、以及将所述规定的数据文件加密后的加密数据；以...

本发明提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在循环供给第一气体和第二气体进行成膜的成膜方法中，由第一气体和第二气体而生成副生成物，由于副生成物阻碍反应。由于副生成物是通过残留的第一气体和第二气体反应而生成，因此要降低第一...

目的在于提供一种即使在高温的衬底处理中也能维持高产能的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：机械装置，其具有：支承衬底的末端执行器；第一连杆构造，其由前端固定有末端执行器的固定部、支承固定部的支承部和设于支承部的第一孔构成；设有第二...

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。具有：腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个腔室；真空搬送室，连接有多个处理单元；加载互锁室，与真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有多片衬...

本发明涉及衬底处理装置以及半导体装置的制造方法，在具有多个处理模块时，将各处理模块的处理衬底的条件维持在获得规定品质的条件。一种衬底处理装置，其构成为具有处理衬底的多个处理模块；和分别设置在各个多个处理模块的热介质的流路；和检测流经流路...

本发明提供一种衬底处理装置、以及半导体器件的制造方法，能够抑制流体供给装置内的流体的温度因处理室的状况而发生变动。衬底处理装置具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从流体供给部向处理室供给流体...

一种可抑制颗粒产生的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。具有：处理衬底的处理容器；向处理容器供给处理气体的气体供给部；在处理容器内设置的衬底载置台；轴，其贯通在处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有衬底载置台；波纹管，其在处理容器的外侧...

提高具有多个处理室的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：能够处理衬底的多个处理室；能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部；能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部；能够对多个处理室的任一方或全部...

具有：准备表面形成有氧化膜的衬底的工序，对所述氧化膜的表面进行前处理的工序，和通过如下处理而在所述前处理后的所述氧化膜的表面上形成含碳的氮化膜的工序，即，将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、对所述衬底供...

本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理...

本发明涉及衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于抑制半导体器件的特性的不均。为了解决上述课题，本发明提供如下结构，其具有：接收部，接收形成于衬底上的含硅膜的膜厚分布数据；衬底载置部，载置有衬底；和气体供给部，...