衬底处理装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。本发明专利技术提供能够在具有多个腔室的装置中实现高温处理的技术。包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对第一气体和第二气体进行排气；加热器，其设于第一排气配管，将上述第一排气配管加热到比第一气体在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个腔室；电子设备系统，其以与收纳第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的腔室的多个第一排气配管包围的方式设置，降低从加热器对电子设备系统的热影响。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、程序以及记录介质。
技术介绍
例如，在对半导体衬底实施规定处理的半导体制造装置这样的衬底处理装置中，为了实现高生产率，存在具有多个腔室的装置。例如存在呈放射状配置腔室的集群型的装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-54536号公报
技术实现思路
在如前述的装置那样具有多个腔室的装置中，具有在各腔室中对衬底实施高温处理的情况。为了实现高温处理，在各腔室的周围设有加热器。不过，在相邻的腔室之间会受到热影响，因此，考虑到会对在高温下动作效率变差的阀等部件带来不良影响。本专利技术鉴于上述问题，目的在于提供一种在具有多个腔室的装置中能够实现高温处理的技术。本专利技术的一个技术方案可提供一种技术，包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向上述腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对上述第一气体和上述第二气体进行排气；加热器，其设于上述第一排气配管，将上述第一排气配管加热到比上述第一气体在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个上述腔室；电子设备系统，其以与收纳上述第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个上述腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的上述腔室的多个上述第一排气配管包围的方式设置，降低从上述加热器对上述电子设备系统的热影响。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种在具有多个腔室的装置中能够实现高温处理的技术。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的结构例的横剖视图。图2是表示本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的结构例的图1的α-α’处的纵剖视图。图3是表示本专利技术的一个实施方式的模块及其周边的结构的说明图。图4是说明本专利技术的一个实施方式的腔室及其周边构造的图。图5是本专利技术的一个实施方式的集群装置的省略了腔室的俯视图。图6是说明本专利技术的一个实施方式的衬底处理流程的图。图7是说明本专利技术的一个实施方式的衬底处理流程的图。图8是说明本专利技术的一个实施方式的气体的状况的图。图9是说明本专利技术的一个实施方式的热量降低构造、排气管的图。附图标记说明100：衬底处理装置130：加载互锁真空室146：第一热量降低构造200：晶圆(衬底)201a、201b、201c、201d：处理模块202a、202b、202c、202d：腔室205：处理空间340：气体箱343：第一排气管346：第二热量降低构造350：电子设备系统箱354：第二排气管355：第三排气管356：第三热量降低构造具体实施方式(第一实施方式)以下，说明本专利技术的第一实施方式。以下说明本实施方式的衬底处理装置。(1)衬底处理装置的结构使用图1、图2来对本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的概要结构进行说明。图1是表示本实施方式的衬底处理装置的结构例的横剖视图。图2是表示本实施方式的衬底处理装置的结构例的图1的α-α’处的纵剖视图。在图1和图2中，应用本专利技术的衬底处理装置100对作为衬底的晶圆200进行处理，主要由IO载物台110、大气搬送室120、加载互锁真空室130、真空搬送室140、模块201构成。接下来对各构成具体地进行说明。在图1的说明中，对于前后左右，X1方向为右，X2方向为左，Y1方向为前，Y2方向为后。(大气搬送室、IO载物台)在衬底处理装置100的近前设置有IO载物台(装载部)110。在IO载物台110上搭载有多个容器(pod)111。容器111被用作搬送硅(Si)衬底等晶圆200的承载件(carrier)，构成为，在容器111内分别以水平姿态容纳有多个未处理的晶圆200或多个处理完毕的晶圆200。在容器111上设有盖112，由后述的容器开闭器121进行开闭。容器开闭器121对载置到IO载物台110的容器111的盖112进行开闭，打开、关闭衬底出入口，由此使晶圆200能够相对于容器111出入。容器111通过未图示的AMHS(AutomatedMaterialHandlingSystems、自动晶圆搬送系统)而相对于IO载物台110进行供给和排出。IO载物台110与大气搬送室120相邻。大气搬送室120在与IO载物台110不同的面上连结有后述的加载互锁真空室130。在大气搬送室120内设置有移载晶圆200的大气搬送机械手122。如图2所示，大气搬送机械手122构成为通过设置于大气搬送室120的升降机123进行升降，并且构成为利用线性致动器124沿着左右方向往复移动。在大气搬送室120的上部设置有供给清洁空气的清洁单元125。在大气搬送室120的左侧设置有对形成于晶圆200的槽口或者定向平面进行对准的装置(以下称为预对准器)126。在大气搬送室120的壳体127的前侧设置有容器开闭器121和用于将晶圆200相对于大气搬送室120搬入搬出的衬底搬入搬出口128。在隔着衬底搬入搬出口128与容器开闭器121相反的一侧、即壳体127的外侧设置有IO载物台(装载部)110。在大气搬送室120的壳体127的后侧设有用于将晶圆200相对于加载互锁真空室130搬入搬出的衬底搬入搬出口129。衬底搬入搬出口129通过由闸阀133打开、关闭，而使晶圆200能够出入。(加载互锁真空室)加载互锁真空室130与大气搬送室120相邻。如后文中所述，在构成加载互锁真空室130的壳体131所具有的面中的、与大气搬送室120不同的面上配置有真空搬送室140。加载互锁真空室130与大气搬送室120的压力和真空搬送室140的压力相应地使壳体131内的压力变动，因此构成为可耐得住负压的构造。在壳体131中的、与真空搬送室140相邻的那一侧设有衬底搬入搬出口132。衬底搬入搬出口132通过由闸阀134打开、关闭，而使晶圆200能够出入。并且，在加载互锁真空室130内设置有衬底载置台136，该衬底载置台136至少具有两个载置晶圆200的载置面135。衬底载置面135之间的距离根据后述的机械手170的臂所具有的末端执行器之间的距离设定。(真空搬送室)衬底处理装置100具备作为搬送室(成为可在负压下搬送晶圆200的搬送空间)搬送的真空搬送室(搬送模块)140。构成真空搬送室140的壳体141俯视形成为例如五边形，五边形的各边与加载互锁真空室130和对晶圆200进行处理的模块201a～201d连结。真空搬送室140的大致中央部设置有以凸缘144作为基部的机械手170，该机械手170作为在负压下移载(搬送)晶圆200的搬送机械手。在壳体141的侧壁中的、与加载互锁真空室130相邻的那一侧设有衬底搬入搬出口142。衬底搬入搬出口142通过由闸阀134打开、关闭，而使晶圆200能够出入。设置于真空搬送室140内的真空搬送机械手170构成为，能够利用轴145和凸缘144在维持真空搬送室140的气密性的同时升降。在轴145内主要具有对真空搬送机械手170的轴进行支承的支承轴145a和使支承轴145a升降或旋转的动作部145b。动作部145b具有例如包括用于实现升降的电机的升降机构145c、和用于使支承轴145a旋转的齿轮等旋转机构145d。此外，也可以在轴145内设置用于指示动作部145b升降、旋转的指示部145e。升降机构145c本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向所述腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对所述第一气体和所述第二气体进行排气；加热器，其设于所述第一排气配管，将所述第一排气配管加热到比所述第一气体的原料在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个所述腔室；电子设备系统，其以与收纳所述第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个所述腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的所述腔室的多个所述第一排气配管包围的方式设置，降低从所述加热器对所述电子设备系统的热影响。

【技术特征摘要】
2016.01.08 JP 2016-0025301.一种衬底处理装置，包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向所述腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对所述第一气体和所述第二气体进行排气；加热器，其设于所述第一排气配管，将所述第一排气配管加热到比所述第一气体的原料在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个所述腔室；电子设备系统，其以与收纳所述第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个所述腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的所述腔室的多个所述第一排气配管包围的方式设置，降低从所述加热器对所述电子设备系统的热影响。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述排气管的泵上设有第二排气管，该第二排气管的下游与除害装置连接，在所述第二排气管设有能够将所述第二排气管设定为比所述第一排气管的温度高的温度的加热器。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一排气管的一部分为弯头形状，所述热量降低构造构成为至少包围所述弯头形状。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一排气管的一部分为弯头形状，所述热量降低构造构成为至少包围所述弯头形状。5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述衬底处理装置具有真空搬送室和多个所述处理模块，所述多个处理模块以所述真空搬送室为中心呈放射状配置。6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述衬底处理装置具有真空搬送室和多个所述处理模块，所述多个处理模块以所述真空搬送室为中心呈放射状配置。7.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，在所述真空搬送室的内部中央配置有真空搬送机械手，并且，在所述真空搬送室的外部设有所述真空搬送机械手的轴，在所述轴的周围设有热量降低构造。8.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，在所述真空搬送室的内部中央配置有真空搬送机械手，并且，在所述真空搬送室的外部设有所述真空搬送机械手的轴，在所述轴的周围设有热量降低构造。9.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦原洋司，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP