本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，存在半导体器件的生产率低的问题。提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器，向处理容器供给气体的气体供给部，控制衬底的温度的温度控制部，和装置控制...

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。提供抑制EOT增加且具有高功函数的功函数金属膜。半导体装置的制造方法具有：将对基板供应含第1金属元素的含第1金属气体的工序、从基板除去该气体的工序、对基板供应反应气体的工序和从基板...

本发明的课题在于缩短搬送室内的氧浓度的降低时间。本发明的基板处理装置具有：搬送室，其从收容基板的收纳容器搬送上述基板；净化气体供给机构，其对搬送室内供给净化气体；以及压力控制机构，其设置于排放搬送室内的环境气体的排气路，并控制搬送室内的...

本发明提供能够降低装置的占地面积的技术。具备：容纳室，其具备对容纳基板的收纳容器进行载置的载置架；搬送机构，其设置于容纳室的顶棚部，并把持收纳容器的上部而进行搬送；以及端口，其相对于容纳室搬入搬出收纳容器，端口具有：调整板，其固定于基台...

本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。半导体器件的制造方法包括将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，所述循环是非同时地进行如下工序：自第一喷嘴对衬底供给原料，并从排气口排气；自配置在比第一喷嘴更远离排气口一侧...

本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高使膜的特性变化的处理后的衬底的特性。具有：第1处理室，对衬底进行第1处理；第2处理室，对衬底进行第2处理，与第1处理室连通；衬底支承部，支承衬底；第1电极，设在第1处理室，与衬...

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供一种即便对于三维结构的闪存而言、也能形成特性良好的半导体器件的技术。为解决上述问题，本发明提供下述技术，该技术将下述工序作为一个组合并重复多次、从而形成将绝缘膜和牺牲膜层叠而成的层...

本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的...

本发明提供一种示教夹具、基板处理装置以及示教方法。根据本发明，提供一种能够进行高质量的基板处理的技术。示教夹具具有：第一板，其决定相对于保持基板的基板保持件的在前后方向上的基板载置位置；第二板，其以相对于所述第一板正交并且沿前后方向自由...

本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。本发明所要解决的课题是，提高基板上形成的Si膜的膜质。作为解决上述课题的手段，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在处理室内，在维...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。通过将下述循环重复多次，使第一原料与第二原料间歇地反应，从而在衬底上形成膜的工序，循环交替进行下述工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料满足八隅体规则且具有第一热分解温度；和对衬...

本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其...

本发明的目的在于提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法，能够不受工艺种类的限制地进行衬底处理。根据本发明的一个方式，提供一种技术，具有：模组，其对衬底进行处理；搬运室，其与多个上述模组相邻；搬运部，其将上述衬底搬运到上述模组；接收...

课题：提供一种能够除去来自其他系统的干扰信号、使希望信号的通信品质提高的噪声消除器装置。解决手段：将由副天线(12)接收到的干扰信号用第1相关值计算部(13)进行互相关的处理，由第1峰值检测部(14)检测干扰信号的峰值，由第1干扰信号信...

提高每个衬底的处理后的膜特性的均匀性的半导体器件的制造方法及衬底处理装置。包括：将衬底搬入处理室的工序；和向衬底供给处理气体的工序；和将向衬底供给的气体排气的工序；处理工序，将活化后的处理气体向衬底供给，并包括第一测定工序和第二测定工序...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，降低排气系统的维护频率。半导体器件的制造方法具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向处...

提供一种对于形成了气隙的半导体装置而言，可实现良好的成品率的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。包括：在形成有第一层间绝缘膜和布线层的衬底中，接收所述布线层的膜厚信息的工序，其中，所述布线层形成在所述第一层间绝缘膜上，具有埋入用作布线的...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底上的氧化膜的膜品质。在同一处理室内进行如下工序：向设为第一温度的衬底供给包含规定元素的原料，从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜的成膜工序；在包含第一含氧气体的气...

缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；...

提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制等离子体带来的影响。具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；气体供给部，其经由缓冲室向衬底供给气体；电极，其设于缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其设于...