半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。本发明专利技术所要解决的课题是，提高基板上形成的Si膜的膜质。作为解决上述课题的手段，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在处理室内，在维持第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质
本专利技术涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。
技术介绍
作为半导体装置(Device)的制造工序的一道工序，有时进行在基板上形成硅膜(Si膜)的处理(例如参照专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-218036号公报专利文献2：日本特开2003-218037号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于，提供能够提高基板上形成的Si膜的膜质的技术。用于解决课题的方法根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及在上述处理室内，在维持上述第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对上述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。专利技术的效果根据本专利技术，能够提高基板上形成的Si膜的膜质。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式中适宜使用的基板处理装置的立式处理炉的概要构成图，是将处理炉部分用纵剖面图表示的图。图2是本专利技术的一个实施方式中适宜使用的基板处理装置的立式处理炉的概要构成图，是将处理炉部分用图1的A-A线剖面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及在所述处理室内，在维持所述第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。

【技术特征摘要】
2016.08.02 JP 2016-1519501.一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及在所述处理室内，在维持所述第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为比形成所述第1非晶硅膜时的所述处理室内的压力高的压力。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为维持所述第1非晶硅膜的蚀刻量均匀性的压力。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为1000Pa以上且50000Pa以下。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为10000Pa以上且40000Pa以下。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为20000Pa以上且30000Pa以下。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其进一步具有以下工序：在所述处理室内，在一部分被蚀刻后的所述第1非晶硅膜之上形成第2非晶硅膜的工序。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1非晶硅膜为掺杂有掺杂剂的膜。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，所述第2非晶硅膜为掺杂有掺杂剂的膜，使所述第1非晶硅膜中的掺杂剂浓度比所述第2非晶硅膜中的掺杂剂浓度高。10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，所述第2非晶硅膜为未掺杂掺杂剂的膜。11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫仓敬弘，森谷敦，中矶直春，芳贺健佑，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP