一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。本发明专利技术解决了纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留的技术问题。

A stripping method of nanoscale photoresist on semiconductor

The invention discloses a semiconductor nanometer size photoresist stripping method, including: plating metal semiconductor film was first soaked in acetone solution at room temperature; after the first acetone solution soaking at room temperature after the end of the metal plating semiconductor wafers are placed in second acetone solution, and the first power of ultrasonic on contained in second acetone solution in metal semiconductor wafer cleaning; after the end of the first power ultrasonic clearing after plating metal semiconductor film were soaked in third acetone solution after heating; after soaking third acetone solution after the plating metal semiconductor film placed in fourth acetone solution, and the second power ultrasonic power is greater than the first the ultrasonic contained in fourth acetone solution of the metal plating film of semiconductor cleaning to remove metal plating The nanoscale photoresist on a semiconductor film. The invention solves the technical problem of the unexposed photoresist residue in the nano scale structure.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法。
技术介绍
近些年来，随着对微纳米光学关注度的不断提高，微纳米光学元件的制造也得到了突飞猛进的发展。剥离技术是在光刻胶经曝光、显影并沉积金属后，将未曝光的光刻胶去除的一种技术。以往传统的剥离工艺在对于大尺寸(微米级)的线宽，其未被曝光的光刻胶在常温下还是较容易去除的，但是当线宽小至纳米级时，传统的剥离工艺无法去除未曝光的光刻胶，会存在纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留。
技术实现思路
本专利技术实施例通过提供一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，解决了纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留的技术问题。本专利技术实施例提供的一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过所述第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述第三丙酮溶液浸泡结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过所述第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于所述第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除所述镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过所述第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于所述第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除所述镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。2.如权利要求1所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡的步骤，包括：将所述镀金属半导体片子固定在第一托架上；通过所述第一托架将所述镀金属半导体片子浸入容置有所述常温的第一丙酮溶液的容器中进行浸泡，其中，在所述常温的第一丙酮溶液中浸泡的总时长为6～8小时。3.如权利要求2所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗的步骤，包括：将所述镀金属半导体片子固定在第二托架上；通过所述第二托架将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子浸入容置有所述第二丙酮溶液的容器中；将容置有所述镀金属半导体片子和所述第二丙酮溶液的容器置于超声波清洗机中；所述超声波清洗机以所述第一功率超声波工作5～10分钟，以对所述镀金属半导体片子进行超声波清洗。4.如权利要求2所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述将经过所述第一功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：符庭钊，王欢，崔绍晖，李超波，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11