一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的PMOS区域中形成凹槽，所述凹槽用于外延生长嵌入式硅锗层；在H2气氛下实施高温烘焙处理；实施湿法清洗处理；在所述凹槽中外延生长嵌入式硅锗层。根据本发明专利技术，可以有效去除污染物，减少外延生长嵌入式硅锗层时产生的杂质、生长错位问题，提升了FinFET器件的性能和良品率。

A semiconductor device and its fabrication method

The present invention provides a semiconductor device and a manufacturing method, which relates to the field of semiconductor technology. The method includes: providing a semiconductor substrate, a gate structure is formed on the surface of the semiconductor substrate, a spacer structure is formed on the two sides of the gate structure; a notch is formed in the PMOS region of the semiconductor substrate in the groove for the epitaxial growth of embedded silicon germanium layer; the implementation of high temperature baking under H2 atmosphere treatment; wet cleaning; in the groove in the epitaxial growth of embedded silicon germanium layer. According to the invention, the contaminants can be effectively removed, and the impurities and growth misalignment problems caused by epitaxial growth of silicon germanium layer can be reduced, and the performance and yield of FinFET devices can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，特别是当半导体器件尺寸降到22nm或以下时，来自制造和设计方面的挑战已经导致了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，所述FinFET器件在沟道控制以及降低浅沟道效应等方面具有更加优越的性能，平面栅极结构设置于所述沟道上方，而在FinFET器件中栅极环绕所述鳍片设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出；同时又更加紧凑，提高了器件的集成度，因此在模拟电路(analogcircuits)和静态存储器(SRAMs)中得到广泛应用。现有的形成FinFET器件的制作方法中，嵌入式硅锗工艺经常被采用以提升PMOS部分的性能，形成的硅锗层对PMOS的沟道区施加压应力以提升空穴载流子的迁移率。在实际生产过程中，外延生长嵌入式硅锗层之前，需要对形成的凹槽进行预处理，以确保凹槽的侧壁及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的PMOS区域中形成凹槽，所述凹槽用于外延生长嵌入式硅锗层；在H2气氛下实施高温烘焙处理；实施湿法清洗处理；在所述凹槽中外延生长嵌入式硅锗层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的PMOS区域中形成凹槽，所述凹槽用于外延生长嵌入式硅锗层；在H2气氛下实施高温烘焙处理；实施湿法清洗处理；在所述凹槽中外延生长嵌入式硅锗层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温烘焙处理的处理温度为200℃～1000℃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温烘焙处理的处理时间为10s～1000s。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗处理采用的清洗液包括SC2、H2SO4、HNO3或HCl。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗处理采用的清洗液包括SC2、SC1或NH3·H2O。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，徐小平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31