用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法技术

一种用于从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒的方法，该晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，该方法包括增加该第一表面和该第二表面中的至少一个的表面区域。该方法进一步包括在至少1000℃的温度下和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。

A method for removing crystal primary particles from crystal silicon body

A method for removing crystal primary particles from crystalline silicon body has relatively first surface and second surface. The method includes increasing the surface area of at least one surface of the first surface and the second surface. The method further includes the surface area increased at a temperature of at least 1000 degrees C and at least 20 minutes for the time of oxidation.

【技术实现步骤摘要】
用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法
技术介绍
半导体器件，尤其是场效应控制开关器件(比如，结场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT))，其通常被用于包括但不限于接通电源供应器和电源转换器、电动汽车、空调机的各种应用。此半导体器件通常以晶片级被制造。通常随着晶片尺寸的增加，每个芯片的制造成本降低。较大的硅晶片(即，具有至少12”直径的硅晶片)现在仅可用作磁丘克拉斯基法(Czochralski)生长硅晶片。具有8”直径的硅晶片也可用作浮区法(floatzone)生长硅晶片，但相对昂贵，并且可能具有因辉纹产生的相对大的电阻变化。在使用丘克拉斯基(CZ)法的单晶生长期间，晶体缺陷(比如，晶体原生颗粒(COP)或错位环)被形成。凝聚的空位(vacancy)有关的缺陷通常被称为D缺陷或COP。此缺陷可促进晶片中生成中心的形成，导致增强的泄漏电流和后续形成的栅极介电层的削弱。因此，有必要从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒。
技术实现思路
实施例涉及一种用于从晶体硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法，所述晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，所述方法包括：通过在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面上形成多晶硅层，来增加所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的表面区域，其中所述多晶硅层的表面粗糙度大于所述晶体硅主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的粗糙度；以及以至少1000℃的温度和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。

【技术特征摘要】
2014.03.18 US 14/217,9131.一种用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法，所述晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，所述方法包括：通过在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面上形成多晶硅层，来增加所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的表面区域，其中所述多晶硅层的表面粗糙度大于所述晶体硅主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的粗糙度；以及以至少1000℃的温度和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。2.如权利要求1所述方法，其中氧化所增加的表面区域包括湿氧化过程。3.如权利要求1所述方法，其中氧化所增加的表面区域的时长在1小时至5小时之间。4.如权利要求1所述方法，其中氧化所增加的表面区域在1000℃和1300℃的温度范围内被执行。5.如权利要求1所述方法，进一步包括：移除所氧化的表面区域的至少一部分。6.如权利要求5所述方法，进一步包括：以大于800℃的温度在含氢的气氛中退火该晶体硅主体。7.如权利要求1所述方法，其中所述多晶硅层的厚度在500nm和2μm之间。8.如权利要求7所述方法，进一步包括：以至少1017cm-3的磷掺杂所述多晶硅层的至少一部分。9.如权利要求1所述方法，其中增加所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的所述表面区域包括局部地蚀刻所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面。10.如权利要求1所述方法，进一步包括：蚀刻多个沟槽进入所述晶体硅主体中。11.如权利要求10所述方法，其中所述多个沟槽的深度在3μm和250μm之间，并且所述多个沟槽的宽度在1μm和30μm之间。12.如权利要求10所述方法，其中所述多个沟槽中相邻的沟槽之间的距离在1μm和30μm之间。13.如权利要求10所述方法，进一步包括：以横向外延生长填充所述多个沟槽。14.如权利要求13所述方法，其中所述横向外延生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：HJ·舒尔策，P·伊尔西格勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE