本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。本专利采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TCO形成异质结电池。本专利具有工艺简单，晶体硅表面钝化性能好，抗UV辐射性能好，充分利用太阳光等优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利涉及一种晶体硅太阳电池，具体涉及一种具有非晶氧化铝钝化硅表面的带有本征层的异质结(HIT)结构的太阳电池及其制备方法。
技术介绍
目前HIT结构晶体硅太阳电池采用非晶硅作为本征层钝化硅表面，然而非晶硅对短波长光有较强的吸收，而且对硅的钝化性能在UV下不稳定。本专利采用原子层沉积 (ALD)系统制备的非晶氧化铝作为本征层可以很好解决这两个问题。非晶硅氧化铝的带隙约6. 8eV,对太阳光完全透明，对硅表面具有良好的钝化性能，且不受UV辐射的影响，使得电池性能更稳定
技术实现思路
本专利要解决的技术问题在于，应用简单的工艺技术实现具有非晶氧化铝钝化硅表面的HIT结构的晶体硅太阳电池的制备方法。本专利晶体硅太阳电池如附图1所示，HIT结构晶体硅太阳电池的结构为在P型或N型的硅基底5的上表面依次为2-lOnm上表面非晶氧化铝401和5-15nm的ρ型非晶硅碳3，上透明导电层201和上金属电极101 ；P型或N型的硅基底5的下表面依次为2-lOnm 下表面非晶氧化铝402和10-20nm的η型非晶硅或微晶硅6，下透明导电层202和下金属电极 102。所述的上表面非晶氧化铝层401和下表面非晶氧化铝402是通过ALD系统同时制备在经过清洗的P型或N型的硅基底5上下表面，对硅表面起到良好的钝化作用。所述的ρ型非晶硅碳3由PECVD制备；所述的η型非晶硅或微晶硅6由PECVD制备；所述的上透明导电层201和下透明导电层202可由溅射或者ALD系统制备所述的上金属电极101和下金属电极102通过蒸发、溅射或者丝网印刷制备。本专利HIT结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，采用如下工艺完成。§ 1.去除P型或N型的硅基底5表面损伤、酸或碱液制绒形成减反射结构及化学清洗；§ 2.采用HF酸或HF和HCl混酸清洗§ 1得到的硅基底5表面0. 5-2分钟；所述氢氟酸为体积比HF H20 = 1 10-50 ；所述HF和HCl混酸为体积比HF HCl H20 = 2 5 50 ；采用ALD系统同时制备P型或N型的硅基底5上表面非晶氧化铝401和下表面非晶氧化铝402 ；沉积氧化铝后在氮气或氩气氛围中退火5-15分钟，退火温度400-450°C，增强对硅表面的钝化性能；§ 3.采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备上表面ρ型非晶硅碳3，采用蒸3发或溅射或ALD制备上透明导电层201 ；§ 4.采用PECVD制备下表面η型非晶硅或微晶硅6，采用溅射或ALD制备下透明导电层202 ；§ 5.蒸发、溅射或丝网印刷上金属电极101和下金属电极102 ；在300°C以下退火，形成欧姆接触。本专利的优点在于1氧化铝对硅具有非常好的钝化效果，极大的降低表面复合速率；尤其是对P型硅有很好的钝化效果，可以制备P型硅基底材料的HIT结构电池；2氧化铝带隙宽度约为6. 8eV，对太阳光无吸收，使得太阳能更能被充分利用；3氧化铝对硅表面的钝化不受UV辐射的影响，保证电池性能的稳定性；附图说明图1本专利制备的具有非晶氧化铝本征层的HIT结构太阳电池。图2实施例中具有非晶氧化铝本征层的HIT结构太阳电池结构图。具体实施方式以下结合附图2和实施例，对本专利作进一步详细说明。实施例如图2所示，具有非晶氧化铝本征层的HIT结构太阳电池结构。其制备工艺过程如下1.采用一般的单晶硅清洗方法，即氢氧化钠+异丙醇(NaOH+IPA)溶液去除P型的 CZ硅表面损伤并制绒形成减反射结构及化学清洗；P型的CZ硅片为工业用125单晶硅片， 电阻率 0. 5-5 Ω cm,厚度 180-220um ；2.采用HF HCl H20 = 2 5 50清洗上述得到的硅片1分钟后甩干，采用原子层沉积(ALD)同时在上表面和下表面制备5nm的非晶氧化铝层；3将沉积氧化铝后的硅片在氮气氛围中退火15分钟，退火温度425°C ；4.采用工业等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备IOnm的上表面ρ型非晶硅碳， 然后采用磁控溅射制备IOOnm的上透明导电层AZO (SiO: Al)；5.采用工业等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备20nm的下表面η型微晶硅，然后采用磁控溅射制备IOOnm的下透明导电层ΑΖ0(&ι0:Α1)；6.丝网印刷可低温烧结的上金属铝浆料和下金属铝浆料；在300°C以下退火，形成欧姆接触电极。权利要求1. 一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，其特征在于电池的结构为在P 型或N型的硅基底(5)的上表面依次为2-lOnm上表面非晶氧化铝(401)和5-15nm的ρ型非晶硅碳(3)，上透明导电层Ο01)和上金属电极(101) ；P型或N型的硅基底(5)的下表面依次为2-lOnm下表面非晶氧化铝(402)和10-20nm的η型非晶硅或微晶硅(6)，下透明导电层(202)和下金属电极(102)。专利摘要本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。本专利采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TCO形成异质结电池。本专利具有工艺简单，晶体硅表面钝化性能好，抗UV辐射性能好，充分利用太阳光等优点。文档编号H01L31/072GK202134565SQ201120210239公开日2012年2月1日 申请日期2011年6月21日 优先权日2011年6月21日专利技术者何悦, 王永谦, 窦亚楠, 褚君浩, 马晓光 申请人:中国科学院上海技术物理研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，其特征在于：电池的结构为：在Ｐ型或Ｎ型的硅基底（５）的上表面依次为２－１０ｎｍ上表面非晶氧化铝（４０１）和５－１５ｎｍ的ｐ型非晶硅碳（３），上透明导电层（２０１）和上金属电极（１０１）；Ｐ型或Ｎ型的硅基底（５）的下表面依次为２－１０ｎｍ下表面非晶氧化铝（４０２）和１０－２０ｎｍ的ｎ型非晶硅或微晶硅（６），下透明导电层（２０２）和下金属电极（１０２）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：褚君浩，窦亚楠，何悦，王永谦，马晓光，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：31
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