一种抗PID高效的单晶电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗PID高效的单晶电池片，包括电池片、单晶电池片、边框和低铁钢化玻璃，所述电池片上设置有单晶电池片以及设置在单晶电池片上的低铁钢化玻璃，所述电池片四周设置有边框，所述单晶电池片内部设置有防漏层以及设置在防漏层一侧的EVA胶膜，所述EVA胶膜一侧设置有导电保护环。本实用新型专利技术通过设置的导电保护环，直流高压的正极和导电保护环相连接，导电保护环相对于各电池片的铝合金边框就是是正电压，形成的电场由导电保护环指向低铁钢化玻璃外面，这样可以预防了低铁钢化玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，简单易行，成本低、效果好，克服了现有方法的局限性和危险性。

PID resistant single crystal battery sheet

The utility model discloses a single cell anti PID efficiently, including cells, single cells, border and low iron tempered glass, the battery plate is provided with a single cell and single cell set in the on-chip low iron tempered glass, the battery is arranged around the frame, the inner single crystal the battery plate is provided with a leak proof layer and set in the EVA film on one side of the barrier layer, one side of the EVA film is provided with a conductive protection ring. The utility model through the conductive protection ring set, positive DC high voltage and electrical protection ring is connected with the conductive guard ring relative to the Aluminum Alloy frames of each cell sheet is formed by the positive voltage, electric conductive protective ring to the outside and low iron tempered glass, which can prevent the metal ions and low iron tempered glass in the surface migration to the battery, which solves the problems of crystalline silicon PV module PID attenuation, simple, low cost, good effect, overcomes the limitation of existing methods and danger.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电池片，特别涉及一种抗PID高效的单晶电池片。
技术介绍
目前，由于晶体硅太阳电池组件封装中使用的硅酸盐玻璃中存在大量的金属离子，这些金属离子在该电场力的作用下会通过封装材料EVA向电池片内部运动，进而破坏电池，造成局部分流，导致组件的输出功率大幅下降，直至组件报废。现在预防光伏电站PID的方法是改进组件的封装材料及在电池表面增加阻挡层，但实践证明：这些工艺改进方法效果有限。另一种方法是在光伏电站上安装抗PID设备，给光伏组件加一个反向高压，把迁移进去的金属离子驱赶出来，但该方法要安装高压设备，易发生危险。为此，我们提出一种抗PID高效的单晶电池片。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种抗PID高效的单晶电池片，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种抗PID高效的单晶电池片，包括电池片、单晶电池片、边框和低铁钢化玻璃，所述电池片上设置有单晶电池片以及设置在单晶电池片上的低铁钢化玻璃，所述电池片四周设置有边框，所述单晶电池片内部设置有防漏层以及设置在防漏层一侧的EVA胶膜，所述EVA胶膜一侧设置有导电保护环，所述导电保护环的一侧设置有晶体硅电池片，所述晶体硅电池片一侧设置有封装胶膜，所述封装胶膜一侧设置有绝缘层以及设置在绝缘层一侧的背板。进一步地，所述边框为铝合金边框。进一步地，所述绝缘层为软质橡胶材料。进一步地，所述晶体硅电池片和绝缘层通过封装胶膜粘连连接。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：通过设置的导电保护环，直流高压的正极和导电保护环相连接，导电保护环相对于各电池片的铝合金边框就是是正电压，形成的电场由导电保护环指向低铁钢化玻璃外面，这样可以预防了低铁钢化玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，简单易行，成本低、效果好，克服了现有方法的局限性和危险性。【附图说明】图1为本技术抗PID高效的单晶电池片的整体结构示意图。图2为本技术抗PID高效的单晶电池片的整体剖视结构示意图。图中：1、电池片；2、单晶片；3、边框；4、低铁钢化玻璃；5、防漏层；6、EVA胶膜；7、导电保护环；8、晶体硅电池片；9、封装胶膜；10、绝缘层；11、背板。【具体实施方式】为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。如图1-2所示，一种抗PID高效的单晶电池片，包括电池片1、单晶电池片2、边框3和低铁钢化玻璃4，所述电池片1上设置有单晶电池片2以及设置在单晶电池片2上的低铁钢化玻璃4，所述电池片1四周设置有边框3，所述单晶电池片2内部设置有防漏层5以及设置在防漏层5一侧的EVA胶膜6，所述EVA胶膜6一侧设置有导电保护环7，所述导电保护环7的一侧设置有晶体硅电池片8，所述晶体硅电池片8一侧设置有封装胶膜9，所述封装胶膜9一侧设置有绝缘层10以及设置在绝缘层10一侧的背板11。本技术抗PID高效的单晶电池片，通过设置的导电保护环7，直流高压的正极和导电保护环7相连接，导电保护环7相对于各电池片的边框3就是是正电压，形成的电场由导电保护环7指向低铁钢化玻璃4外面，这样可以预防了低铁钢化玻璃4中的金属离子向电池片1表面迁移，从而解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，简单易行，成本低、效果好，克服了现有方法的局限性和危险性。其中，所述边框3为铝合金边框，便于形成正电压，同时提供一定的支撑力。其中，所述绝缘层10为软质橡胶材料，达到较好的绝缘性。其中，所述晶体硅电池片8和绝缘层10通过封装胶膜9粘连连接，连接方便，简单实用。需要说明的是，本技术为一种抗PID高效的单晶电池片，工作时，通过设置的导电保护环7，直流高压的正极和导电保护环7相连接，导电保护环7相对于各电池片的边框3就是是正电压，形成的电场由导电保护环指向低铁钢化玻璃4外面，这样可以预防了低铁钢化玻璃4中的金属离子向电池片1表面迁移。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗PID高效的单晶电池片，包括电池片（1）、单晶电池片（2）、边框（3）和低铁钢化玻璃（4），其特征在于：所述电池片（1）上设置有单晶电池片（2）以及设置在单晶电池片（2）上的低铁钢化玻璃（4），所述电池片（1）四周设置有边框（3），所述单晶电池片（2）内部设置有防漏层（5）以及设置在防漏层（5）一侧的EVA胶膜（6），所述EVA胶膜（6）一侧设置有导电保护环（7），所述导电保护环（7）的一侧设置有晶体硅电池片（8），所述晶体硅电池片（8）一侧设置有封装胶膜（9），所述封装胶膜（9）一侧设置有绝缘层（10）以及设置在绝缘层（10）一侧的背板（11）。

【技术特征摘要】
1.一种抗PID高效的单晶电池片，包括电池片（1）、单晶电池片（2）、边框（3）和低铁钢化玻璃（4），其特征在于：所述电池片（1）上设置有单晶电池片（2）以及设置在单晶电池片（2）上的低铁钢化玻璃（4），所述电池片（1）四周设置有边框（3），所述单晶电池片（2）内部设置有防漏层（5）以及设置在防漏层（5）一侧的EVA胶膜（6），所述EVA胶膜（6）一侧设置有导电保护环（7），所述导电保护环（7）的一侧设置有晶体硅电池片（8），所述晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张育，
申请(专利权)人：嘉兴金瑞光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33