一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其目的在于克服现有背面抛光单晶硅电池制备方法存在的工艺复杂、设备要求高、生产成本高的缺陷。本发明专利技术主要步骤为抛光-背面掩膜-正面制绒-扩散制PN结-二次酸洗-正面镀氮化硅膜-丝网印刷、烧结。本发明专利技术能够在现有的常规设备上运用，工艺简单易行、生产成本低，而且不会对常规设备造成污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池生产
，特别涉及。
技术介绍
目前传统单晶硅电池工艺路线主要是通过制绒一扩散一边缘去PN结/磷硅玻璃清洗一PECVD (等离子体气相沉积)镀氮化硅膜一丝网印刷，该工艺路线已经很成熟，但目前已经很难在电池转化效率上有个很大的突破。为此，各研究机构及企业研究各种高效电池，例如SE电池(申请号201010547938. 7)、HIT电池、N型电池(申请号201110271642. I) 等，但目前大多数高效电池在实验设备上需要做很大的改进，其工艺路线复杂，因此生产成本很高，真正实现量产化还需要很长一段时间。常规的单晶硅制绒工艺是将硅片浸入到碱液(NaOH、Κ0Η)中形成倒金字塔形的减反射绒面，这样就造成单晶硅片两面都形成绒面。理论上，我们只需要硅片正面(受光面)有绒面就可以了，硅片背面(背光面)的绒面由于没有钝化膜的保护，硅片背面在电池片制作工艺中很容易吸收杂质造成背面少数载流子复合，降低电池片效率。背面抛光单晶硅电池是一种背面抛光、正面制绒电池，与传统单晶硅电池相比，有许多优点低背面少数载流子复合，高开路电压(Uoc);扩散背面边缘无磷掺杂，漏电流低；高背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其特征在于：所述的方法步骤如下：（1）抛光：将单晶硅片置于浓度为0.12？0.16kg/L的NaOH水溶液中抛光1？10min，然后经过盐酸酸洗，氢氟酸酸洗，水洗，甩干，形成双面抛光的单晶硅片；（2）背面掩膜：在双面抛光的单晶硅片的背面采用PECVD法镀一层氮化硅保护膜，获得具有背面掩膜的抛光硅片；（3）正面制绒：将具有背面掩膜的抛光硅片置于浓度为12？15g/L的NaOH水溶液中直接制绒12？18min，然后经过体积浓度为8%？12%的氢氟酸酸洗1min？3min减少氮化硅保护膜的厚度，获得背面残留一定厚度氮化硅保护膜的正面制绒的单晶硅片；（4）扩散制...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金灯，韩健鹏，吕绍杰，吴敏，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：