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本发明公开了一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法，其目的在于克服现有背面抛光单晶硅电池制备方法存在的工艺复杂、设备要求高、生产成本高的缺陷。本发明主要步骤为抛光-背面掩膜-正面制绒-扩散制PN结-二次酸洗-正面镀氮化硅膜-丝网印刷、烧结。...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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