一种基底上ITO薄膜图案化方法技术

本发明专利技术公开了一种基底上ITO薄膜图案化方法，包括以下步骤：（1）在基底上沉积好一层ITO薄膜；（2）将贴膜紧密地贴合于步骤（1）的ITO薄膜之上，并且去除贴膜与ITO薄膜之间的气泡，其中贴膜为被图案化的；（3）通过湿法刻蚀去除步骤（2）中没有被贴膜保护到ITO薄膜部分；（4）撕去贴膜，得到图案化ITO薄膜。本发明专利技术ITO薄膜图案化方法具有步骤简单、成本低等优点，并且适合在柔性基底上使用，能够有效的防止由于柔性基底卷曲而导致ITO薄膜被刻花以及出现断路和短路的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平面基底上导电图案化方法，特别涉及一种基底上ITO薄膜图案化方法。
技术介绍
铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, IT0)薄膜作为一种用半导体材料制备而成的透明导电薄膜，具有高电导率IO4 IO5 Q ^cnT1、高可见光透光率(大于90%)，与玻璃基底结合牢固、抗擦伤等众多优良的物理性能，以及良好的化学稳定性和其他的一些半导体特性，容易制备成电极图形，已经被广泛的应用于太阳电池、固态平板显示器件、柔性显示技术(包括IXD、OLED、FED、TOP)等许多方面。在这些应用中，需要将ITO薄膜制备成特定的图形 来充当器件的透明电极。目前，ITO图案化主要有以下几种方法湿法刻蚀、干法刻蚀和lift-off方法。在美国专利说明书US570287IA公开了一种湿法刻蚀图案化ITO结构(如ITO导线)的形成方法，如图IA至图ID所示包括以下步骤(I)以溅镀的方式在基底10上形成ITO薄膜层11上。(2)形成感光层12 (感光性干膜和光刻胶)在ITO薄膜层11上。在此，感光层12至少覆盖住要进行图案化程序的部分ITO薄膜层11。(3)以曝光、微影、显影等步骤来使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底上ITO薄膜图案化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在基底上沉积好一层ITO薄膜；（2）将贴膜紧密地贴合于步骤（1）的ITO薄膜之上，并且去除贴膜与ITO薄膜之间的气泡，其中贴膜为被图案化的；（3）通过刻蚀方法去除步骤（2）中露出的ITO薄膜部分；（4）撕去贴膜，得到图案化ITO薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏仕健，江志雄，周军红，彭俊彪，曹镛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：