单晶硅电池片中分离P-N结及太阳能电池制作方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅电池片中分离P-N结的方法，及太阳能电池制作方法。本发明专利技术采用将单晶硅电池片置于酸液上方，然后将酸液吸附到单晶硅电池片的背表面进行腐蚀，以去掉单晶硅电池片背表面的N+层的方法来分离单晶硅电池片中的P-N结。采用该方案可以避免在光照情况下，在背面产生影响电池开压的电动势；而且，采用该方法处理后的背表面与铝背场之间的接触变得更为均匀和平整，钝化效果较好，有利于对长波的响应，可以提高电池效率；再者，由于采用该方案不会造成硅片碎片；进一步的，由于所采用的酸液本身就已经有去除磷硅玻璃的作用，所以可以不需要另外执行去磷硅玻璃的步骤，简化了工序，有利于进一步提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及单晶硅电池片中分离P-N结的方法，以及太阳能电池制作方法。
技术介绍
对于太阳能电池来说，并联电阻是一个非常重要的参数，并联电阻分为体内并联电阻和边缘并联电阻两类。对于一个硅片来说，一般20%的泄漏电流通过体内并联电阻，而80%的泄漏电流通过边缘并联电阻。现行的太阳能电池制作方法中，是采用背靠背高温三氯氧磷扩散来制作P-N结的，这种背靠背扩散方式不可避免地使得电池的边缘也扩散了一层发射极，这样在烧制铝背场之后，边缘就会有很大的电流泄漏，影响电池的质量，因此，需要将边上的这一层发射极刻掉，即分离P-N结。对于单晶硅电池片，现有技术一般采用等离子法和去磷硅玻璃(PSG)来分离P-N结，即在背靠背高温三氯氧磷扩散制作P-N结之后，采用等离子刻蚀的方法去除硅片四周扩散到的P，然后再经过去磷硅玻璃步骤来去除磷扩散中产生的磷硅玻璃。在对现有技术的研究和实践过程中，本专利技术的专利技术人发现，现有的分离P-N结的方法的工艺较为繁琐，而且等离子刻蚀只是去掉电池边缘的N+层，而电池背面仍然会存在N+(即N正极)层；当N+层存在时，在光照的情况下，会产生一个背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅电池片中分离P?N结的方法，其特征在于，包括：将单晶硅电池片置于酸液上方；将酸液吸附到单晶硅电池片的背表面进行腐蚀，以去掉单晶硅电池片背表面的N+层。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅电池片中分离P-N结的方法，其特征在于，包括: 将单晶硅电池片置于酸液上方； 将酸液吸附到单晶硅电池片的背表面进行腐蚀，以去掉单晶硅电池片背表面的N+层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述酸液为氢氟酸和硝酸的混合液。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 所述酸液为由浓度为70%的浓硝酸和浓度为50%的氢氟酸组成的混合液，所述混合液中浓硝酸和氢氟酸的体积比为10:1到2:1之间。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述将单晶硅电池片置于酸液上方具体为: 将单晶硅电池片置于酸液的上方，与酸液的上表面接触。5.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括: 对单晶硅电池片进行稀碱清洗； 对稀碱清洗后的单晶硅电池片进行高温三氯氧磷扩散以制作P-N结； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：