一种单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅片，包括单晶硅片主体，单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构，所述单晶硅片主体背面为平面结构，所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓，所述单晶硅主体的绒面结构为齿形结构，本实用新型专利技术结构简单，通过掺镓在单晶硅片主体中，使得单晶硅片电阻率在不增加成本的前提实现和掺硼一样的水平，实现了晶体100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相当于效率提高一个百分点，成本下降6%，并已经产生巨大经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单晶硅产品，具体是一种单晶硅片。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。随着太阳能电池市场的快速成长，太阳能电池板主要由晶体硅片制作而成，目前全球95%以上的晶硅电池采用P型掺硼晶硅制作，光照10小时后会产生5—8%的不可恢复效率衰减，该难题长期困扰国内外光伏界。用镓代替硼可以克服光衰。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:—种单晶硅片，包括单晶硅片主体，所述单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构，所述单晶硅片主体背面为平面结构，所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓，所述单晶硅片主体的绒面结构为齿形结构。作为本技术进一步的方案:所述镓在单晶硅片主体内的位错密度小于2000pcs/cm 2o作为本技术进一步的方案:所述单晶硅片主体的生长方法为直拉单晶生长。作为本技术进一步的方案:所述单晶硅片主体的晶向偏离度小于1°。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术结构简单，通过掺镓在单晶硅片主体中，使得单晶硅片电阻率在不增加成本的前提实现和掺硼一样的水平，实现了晶体100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相当于效率提高一个百分点，成本下降6%，并已经产生巨大经济效益。【附图说明】图1为单晶硅片的结构示意图。图中:1_单晶硅片主体、2-单晶硅片主体正面、3-镓、4-单晶硅片主体背面。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种单晶硅片，包括单晶硅片主体I，单晶硅片主体正面2为凹凸不平的绒面结构，单晶硅片主体背面4为平面结构，单晶硅片主体I中均匀掺杂分布有镓3，单晶硅片主体I的绒面结构为齿形结构，镓3在单晶硅片主体I内的位错密度小于2000pcs/cm2，单晶硅片主体I的生长方法为直拉单晶生长，单晶硅片主体I的晶向偏离度小于1°。本技术结构简单，通过掺镓在单晶硅片主体中，使得单晶硅片电阻率在不增加成本的前提下实现和掺硼一样的水平，实现了晶体100%的利用并抑制了 95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相当于效率提高一个百分点，成本下降6%，并已经产生巨大经济效益。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种单晶硅片，包括单晶硅片主体，其特征在于，所述单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构，所述单晶硅片主体背面为平面结构，所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓，所述单晶硅片主体的绒面结构为齿形结构。2.根据权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于，所述镓在单晶硅片主体内的位错密度小于 2000pcs/cm2。3.根据权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片主体的生长方法为直拉单晶生长。4.根据权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片主体的晶向偏离度小于I。。【专利摘要】本技术公开了一种单晶硅片，包括单晶硅片主体，单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构，所述单晶硅片主体背面为平面结构，所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓，所述单晶硅主体的绒面结构为齿形结构，本技术结构简单，通过掺镓在单晶硅片主体中，使得单晶硅片电阻率在不增加成本的前提实现和掺硼一样的水平，实现了晶体100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相当于效率提高一个百分点，成本下降6%，并已经产生巨大经济效益。【IPC分类】H01L31/0288, H01L31/0236【公开号】CN205335264【申请号】CN201521116443【专利技术人】张忠安 【申请人】江西豪安能源科技有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2015年12月30日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片，包括单晶硅片主体，其特征在于，所述单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构，所述单晶硅片主体背面为平面结构，所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓，所述单晶硅片主体的绒面结构为齿形结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠安，
申请(专利权)人：江西豪安能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36