【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种表面覆膜的单晶硅片。
技术介绍
随着太阳能电池市场的快速成长，单晶硅在对光的吸收过程中，有一部分光会因为单晶硅本身的反光使得光被反射出去，从而使得对光的利用率较低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种对光利用率高的表面覆膜的单晶硅片。 为实现上述目的，本技术为一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其中，所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜。其中，所述的氮化娃膜的厚度为73nnT77nm。采用在吸光面上覆一层氮化硅膜，尤其是这层氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之间，使得这层氮化硅膜呈深蓝色，对光的折射率在I. 9-2. I之间；减少对光的反射,增加了单晶娃片对光的吸收，从而提闻了转换效率。附图说明图I是本技术实施例产品的侧视图。具体实施方式请参阅图1，一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体1，硅片本体的一面为吸光面2与另一面为背面，吸光面2上覆有I层厚度在73nnT77nm之间的氮化硅膜3。采用在吸光面上覆一层氮化硅膜，尤其是这层氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之间，使得这层氮化硅膜呈深蓝色，对光的折射率在I. 9-2. I之间；减少对光的反射,增加电池片对光的吸收，从而提闻转换效率。权利要求1.一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其特征在于所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜。2.根据权利要求I所述的一种表面覆膜的单晶硅片，其特征在于所述的氮化硅膜的厚度为 73nnT77nm。专利摘要本技术涉及一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本...
【技术保护点】
一种表面覆膜的单晶硅片，该单晶硅片包括硅片本体，硅片本体包括吸光面与背面；其特征在于：所述的吸光面上覆有一层氮化硅膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周日发，
申请(专利权)人：浙江奥博新能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。