【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种低损伤高钝化的太阳能电池。
技术介绍
目前普通晶体硅电池正面主要采用氮化硅做减反反射层以及氮化硅中所含氢做钝化,由于氢在高温下容易以气体态溢出,所以并不能很好起到钝化效果,从而使氮化硅钝化效果较差。在用PECVD沉积氮化硅过程中由于固定硅烷以及氨气流量造成生成的氮化硅折射率単一,不利于降低电池片的反射率
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种低损伤高钝化的太阳能电池,提闻减反射效果,提闻电池效率。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种低损伤高钝化的太阳能电池,其特征在于具有太阳能电池硅片,所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5 20nm的SiO2薄膜层,所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30 50nm折射率为2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜层,所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35 50nm折射率为I. 8 2. O的第二氮化娃薄膜层。进ー步地,所述的第二氮化硅薄膜层、第一氮化硅薄膜层制作时所需的硅烷及氨气流量比例不同。本技术的有益效果是不同折射率的氮化硅有利于降低在较宽波长范围内的反射率,增加晶体硅对光的吸收,提高电池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步骤操作完成,有利于节省成本,适用于大規模生产。本技术提高了电池片的钝化效果,减弱了 PECVD对晶体硅表面损伤,降低对太阳波长的反射,提高对光的吸收率,从而提高电池效率。以下结合附图对本技术进ー步说明。图I是本技术的结构示意图;其中1.太阳能电池硅片,2. SiO2薄膜层,3.第一氮化硅薄膜层,4.第二氮化硅薄膜层。具体实施方式现在结合附图对本技术作进ー步的说 ...
【技术保护点】
一种低损伤高钝化的太阳能电池,其特征在于:具有太阳能电池硅片(1),所述的太阳能电池硅片(1)正面具有厚度为5~20nm的SiO2薄膜层(2),所述的SiO2薄膜层(2)正面具有厚度为30~50nm折射率为2.3~2.7的第一氮化硅薄膜层(3),所述的第一氮化硅薄膜层(3)正面具有厚度为35~50nm折射率为1.8~2.0的第二氮化硅薄膜层(4)。
【技术特征摘要】
1.一种低损伤高钝化的太阳能电池,其特征在于具有太阳能电池硅片(1),所述的太阳能电池硅片(I)正面具有厚度为5 20nm的SiO2薄膜层(2),所述的SiO2薄膜层(2)正 面具...
【专利技术属性】
技术研发人员:张勇,
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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