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本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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