【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池。
技术介绍
参看图1，在晶体硅太阳电池的制造过程中，发射区和衬底构成一个PN结，该PN结能够将入射光能转变成电能。参看图2，P型晶硅太阳电池发射区为N型硅区，衬底为P型硅区。参看图3，N型晶硅太阳电池发射区为P型硅区，衬底为N型硅区。发射区对晶硅太阳电池的特性具有重大的影响，发射区重掺杂而引起了硅晶格失配而在硅表面区域形成了 大量的陷阱。这些陷阱具有复合效应，在这一区域中由于光被吸收所产生地载流子会因为 寿命太短而在扩散到发射极之前就被复合，从而对电池效率没有贡献，因此这一特殊区域又被称为“死层”。由于“死层”的存在，使得晶硅太阳电池的效率的提高受到了很大的影响。为了解决该问题，现有技术多采用了两种技术。第一种技术降低发射区的掺杂。这种方法可以降低硅中的陷阱数量，从而使得光生载流子的寿命增加。但这一方法的缺点是由于发射区的掺杂浓度降低引起了开路电压VOC减小。第二种技术减少发射结结深。这种方法可以有效的减少“死层”的影响，但是却使得电池串联电阻增加，功率损失增大。综上所述，现有技...
【技术保护点】
一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，其特征在于它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。
【技术特征摘要】
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