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一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，它涉及半导体器件技术领域，它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。它可在发射区重掺杂，具有较大的开路电压VOC；减小了发射区“死层”中的复合，增加了光生载流子的寿命，增强了发射...
该专利属于西安邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安邮电大学授权不得商用。

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